| 中文摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 第一章 绪言 | 第10-20页 |
| §1.1 全固体激光器的发展概况 | 第10-12页 |
| §1.2 调Q技术的概况 | 第12-13页 |
| §1.3 键合技术发展介绍 | 第13-15页 |
| §1.4 半导体材料在激光物理中的应用 | 第15-18页 |
| §1.5 本论文的主要工作 | 第18-20页 |
| 第二章 AlGaInAs半导体饱和吸体调Q特性的实验研究 | 第20-34页 |
| §2.1 LD泵浦激光器的主要泵浦方式 | 第20-21页 |
| §2.2 Nd:YVO_4/YVO_4键合晶体介绍 | 第21-26页 |
| §2.3 AlGaInAs半导体饱和吸收体的基本性质 | 第26-30页 |
| §2.4 实验装置 | 第30-31页 |
| §2.5 AlGaInAs半导体饱和吸收体调Q性能 | 第31-34页 |
| 第三章 AlGaInAs半导体饱和吸收体调Q特性的理论分析 | 第34-42页 |
| §3.1 被动调Q速率方程理论 | 第34-39页 |
| §3.2 数值求解 | 第39-40页 |
| §3.3 实验结果和理论结果的比较 | 第40-42页 |
| 第四章 全文总结 | 第42-43页 |
| 第五章 参考文献 | 第43-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第55-56页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第56页 |
