摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-10页 |
缩略词与符号表 | 第10-15页 |
第一章 绪论 | 第15-37页 |
·从氢化非晶硅到氢化纳米硅 | 第15-19页 |
·金属纳米粒子表面等离子体共振 | 第19-23页 |
·研究背景 | 第23-26页 |
·本论文的立题思想、研究内容与意义 | 第26-29页 |
参考文献 | 第29-37页 |
第二章 制备方法与表征手段 | 第37-54页 |
·制备方法 | 第37-42页 |
·磁控溅射制备掺铝氧化锌(ZnO: Al) | 第37-38页 |
·等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备硅薄膜 | 第38-39页 |
·热丝化学气相沉积(HWCVD)制备氢化纳米硅 | 第39-40页 |
·真空热蒸发制备金属电极及银纳米粒子 | 第40-41页 |
·硅薄膜太阳电池的结构及制备方法 | 第41-42页 |
·表征手段 | 第42-52页 |
·形貌观测 | 第42-43页 |
·原子力显微镜(AFM) | 第43页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第43页 |
·高分辨率透射电子显微镜(HRTEM) | 第43页 |
·微结构及成分分析 | 第43-47页 |
·拉曼(Raman)散射光谱 | 第43-45页 |
·傅立叶(Fourier)变换红外光谱(FTIR) | 第45-47页 |
·二次离子质谱(SIMS) | 第47页 |
·光学性质 | 第47-48页 |
·分光光度计 | 第47页 |
·散射光角度分布 | 第47-48页 |
·电学性质 | 第48-52页 |
·霍尔(Hall)效应 | 第48-49页 |
·电流-电压(I-V)特性 | 第49-51页 |
·量子效率(QE) | 第51-52页 |
·本章小结 | 第52-53页 |
参考文献 | 第53-54页 |
第三章 HWCVD 制备硼掺杂氢化纳米硅及其性质研究 | 第54-87页 |
·引言 | 第54-55页 |
·沉积温度对薄膜微结构和电学性质的影响 | 第55-62页 |
·衬底温度 | 第55-59页 |
·灯丝温度 | 第59-62页 |
·沉积气压对薄膜微结构和电学性质的影响 | 第62-66页 |
·硼掺杂比对薄膜微结构和电学性质的影响 | 第66-73页 |
·重掺 | 第66-69页 |
·轻掺 | 第69-73页 |
·氢稀释度对薄膜微结构和电学性质的影响 | 第73-78页 |
·总结与讨论 | 第78-83页 |
·本章小结 | 第83-85页 |
参考文献 | 第85-87页 |
第四章 小颗粒银纳米粒子增强非晶硅太阳电池光谱响应 | 第87-108页 |
·引言 | 第87-88页 |
·局域表面等离子体共振的光学性质研究 | 第88-92页 |
·增强光吸收 | 第88-90页 |
·表面增强拉曼散射 | 第90-92页 |
·增强透明TCO-i-n非晶硅太阳电池光谱响应 | 第92-100页 |
·电池结构 | 第92-93页 |
·光从电极入射 | 第93-99页 |
·光从玻璃入射 | 第99-100页 |
·增强TCO-i-n和TCO-i-p非晶硅太阳电池光谱响应 | 第100-105页 |
·电池结构 | 第100-101页 |
·反射光谱 | 第101-102页 |
·量子效率 | 第102-104页 |
·增强光谱响应的光电子发射机理 | 第104-105页 |
·本章小结 | 第105-106页 |
参考文献 | 第106-108页 |
第五章 大颗粒银纳米粒子及银纳米结构增强硅薄膜太阳电池光谱响应 | 第108-135页 |
·引言 | 第108页 |
·大颗粒银纳米粒子在n-i-p 硅薄膜太阳电池中的应用 | 第108-120页 |
·大颗粒银纳米粒子的光学性质 | 第108-112页 |
·增强氢化纳米硅太阳电池光谱响应 | 第112-115页 |
·增强氢化非晶硅太阳电池光谱响应 | 第115-120页 |
·银纳米结构在n-i-p 硅薄膜太阳电池中的应用 | 第120-132页 |
·银纳米结构的基本性质 | 第120-123页 |
·增强氢化纳米硅太阳电池光谱响应 | 第123-128页 |
·增强氢化非晶硅太阳电池光谱响应 | 第128-132页 |
·本章小结 | 第132-133页 |
参考文献 | 第133-135页 |
第六章 总结与展望 | 第135-137页 |
致谢 | 第137-138页 |
攻读博士学位期间公开发表的学术论文及专利 | 第138-140页 |
上海交通大学学位论文答辩决议书 | 第140-141页 |
上海交通大学博士学位论文答辩决议书 | 第141页 |