| 中文摘要 | 第3-4页 |
| 英文摘要 | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 高功率脉冲磁控溅射及其发展 | 第8-17页 |
| 1.1.1 复合高功率脉冲磁控溅射 | 第15-16页 |
| 1.1.2 叠加高功率脉冲磁控溅射 | 第16-17页 |
| 1.2 TiN薄膜 | 第17页 |
| 1.3 研究目的与意义 | 第17-18页 |
| 1.4 研究内容 | 第18-20页 |
| 2 实验材料、设备与方法 | 第20-28页 |
| 2.1 实验材料 | 第20页 |
| 2.2 高真空磁控溅射镀膜机 | 第20-23页 |
| 2.2.1 中频叠加高功率脉冲磁控溅射电源系统 | 第20-22页 |
| 2.2.2 放电参数采集系统 | 第22-23页 |
| 2.2.3 等离子体光谱采集系统 | 第23页 |
| 2.3 TiN薄膜制备 | 第23-25页 |
| 2.3.1 中频持续时间和功率定义 | 第23-24页 |
| 2.3.2 薄膜制备流程 | 第24-25页 |
| 2.4 TiN薄膜表征 | 第25-28页 |
| 2.4.1 成分测试 | 第25页 |
| 2.4.2 显微结构测试 | 第25-26页 |
| 2.4.3 力学性能测试 | 第26-28页 |
| 3 中频持续时间对等离子体特性和TiN薄膜性能影响 | 第28-50页 |
| 3.1 中频持续时间对等离子体特性影响 | 第28-32页 |
| 3.1.1 中频持续时间对放电与功率密度影响 | 第28-30页 |
| 3.1.2 中频持续时间对离化率影响 | 第30-32页 |
| 3.2 中频持续时间对TiN薄膜性能影响 | 第32-46页 |
| 3.2.1 TiN薄膜成分 | 第32-33页 |
| 3.2.2 TiN薄膜显微结构 | 第33-42页 |
| 3.2.3 TiN薄膜力学性能 | 第42-46页 |
| 3.3 小结 | 第46-50页 |
| 4 中频功率对等离子体特性和TiN薄膜性能影响 | 第50-66页 |
| 4.1 中频功率对等离子体特性的影响 | 第50-52页 |
| 4.1.1 中频功率对放电与功率密度的影响 | 第50-51页 |
| 4.1.2 中频功率对离化率的影响 | 第51-52页 |
| 4.2 中频功率对TiN薄膜性能影响 | 第52-64页 |
| 4.2.1 TiN薄膜成分 | 第52-53页 |
| 4.2.2 TiN薄膜显微结构 | 第53-61页 |
| 4.2.3 TiN薄膜力学性能 | 第61-64页 |
| 4.3 小结 | 第64-66页 |
| 5 结论与展望 | 第66-68页 |
| 5.1 结论 | 第66-67页 |
| 5.2 展望 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-78页 |
| 附录 | 第78页 |
| A.攻读硕士期间发表论文 | 第78页 |
| B.攻读硕士期间申请发明专利 | 第78页 |