| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 1 绪论 | 第7-18页 |
| 1.1 微电子封装技术 | 第7-8页 |
| 1.2 微电子封装技术发展趋势 | 第8-10页 |
| 1.2.1 微型化-新型封装技术 | 第8页 |
| 1.2.2 无铅化-Sn基钎料 | 第8-9页 |
| 1.2.3 Sn晶粒-各向异性 | 第9-10页 |
| 1.3 微凸点的电迁移行为 | 第10-12页 |
| 1.3.1 电迁移的本质 | 第10-11页 |
| 1.3.2 极性效应 | 第11-12页 |
| 1.3.3 电迁移的抑制方法 | 第12页 |
| 1.4 电迁移的新现象——电迁移与Sn晶粒取向的相互作用 | 第12-16页 |
| 1.4.1 Sn晶粒取向对电迁移的影响 | 第12-14页 |
| 1.4.2 电迁移对Sn晶粒取向的影响 | 第14-15页 |
| 1.4.3 控制Sn晶粒取向的探索 | 第15-16页 |
| 1.5 本论文研究目的和主要研究内容 | 第16-18页 |
| 2 样品制备与电迁移实验方法 | 第18-22页 |
| 2.1 倒装芯片无铅微凸点结构 | 第18页 |
| 2.1.1 倒装芯片无铅Ni/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P凸点结构 | 第18页 |
| 2.1.2 倒装芯片无铅Ni/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu凸点结构 | 第18页 |
| 2.2 倒装芯片无铅微凸点制备 | 第18-19页 |
| 2.3 倒装芯片无铅微凸点原位电迁移实验 | 第19-20页 |
| 2.4 微观形貌表征与取向分析 | 第20-22页 |
| 3 倒装芯片无铅Ni/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P(EINPIG)凸点电迁移行为 | 第22-41页 |
| 3.1 引言 | 第22页 |
| 3.2 倒装芯片无铅Ni/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P凸点初始形貌 | 第22-23页 |
| 3.3 倒装芯片无铅Ni/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P凸点电迁移微观形貌演变 | 第23-30页 |
| 3.3.1 电子由NiUBM流向Ni-P层 | 第23-27页 |
| 3.3.2 电子由Ni-P层流向NiUBM | 第27-30页 |
| 3.4 (Ni,Cu)3Sn4类型IMC的析出与分布机制 | 第30-32页 |
| 3.5 电迁移作用下β-Sn晶粒沿晶界的旋转滑移现象 | 第32-37页 |
| 3.6 阴极NiUBM溶解与β-Sn晶粒取向之间的关系模型 | 第37-39页 |
| 3.7 本章小结 | 第39-41页 |
| 4 倒装芯片无铅Ni/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu(OSP)凸点电迁移行为 | 第41-63页 |
| 4.1 引言 | 第41页 |
| 4.2 倒装芯片无铅Ni/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu凸点初始形貌 | 第41-42页 |
| 4.3 倒装芯片无铅Ni/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu凸点电迁移微观形貌演变 | 第42-49页 |
| 4.3.1 电子由Ni UBM流向Cu基板 | 第42-46页 |
| 4.3.2 电子由Cu基板流向Ni UBM | 第46-49页 |
| 4.4 Cu_6Sn_5类型IMC的析出与分布机制 | 第49-53页 |
| 4.5 电迁移作用下β-Sn晶粒沿晶界的旋转滑移机制 | 第53-59页 |
| 4.6 应力松弛现象-Sn凸起或晶须 | 第59-61页 |
| 4.7 本章小结 | 第61-63页 |
| 结论 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
