| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·SiC的结构和性质 | 第10-13页 |
| ·SiC的晶态结构 | 第10-12页 |
| ·SiC的非晶态结构 | 第12-13页 |
| ·SiC研究现状 | 第13-15页 |
| ·本论文工作的内容与意义 | 第15-16页 |
| 第二章 薄膜的制备与表征方法 | 第16-29页 |
| ·溅射原理 | 第16-19页 |
| ·溅射现象 | 第16-17页 |
| ·平衡磁控溅射与非平衡磁控溅射 | 第17-19页 |
| ·MW-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射装置 | 第19-21页 |
| ·SiC薄膜的制备流程 | 第21-22页 |
| ·实验前的准备工作 | 第21-22页 |
| ·实验过程 | 第22页 |
| ·薄膜的测试与表征方法 | 第22-29页 |
| ·化学结构表征-傅立叶变换红外吸收光谱 | 第23-24页 |
| ·化学组分表征-X射线光电子能谱 | 第24-26页 |
| ·样品性能测试-纳米硬度仪 | 第26-29页 |
| 第三章 利用单晶硅靶和石墨靶磁控溅射制备无H碳化硅薄膜 | 第29-42页 |
| ·实验 | 第29-30页 |
| ·外吸收光谱分析(FT-IR) | 第30-32页 |
| ·薄膜X射线光电子能谱分析(XPS) | 第32-37页 |
| ·沉积偏压和沉积温度对薄膜的影响 | 第37-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 利用单晶硅靶和甲烷磁控溅射制备含H碳化硅薄膜 | 第42-54页 |
| ·实验 | 第42-43页 |
| ·薄膜沉积速率 | 第43页 |
| ·不同沉积参数所制备薄膜的FT-IR分析 | 第43-47页 |
| ·不同沉积参数所制备薄膜的XPS分析 | 第47-51页 |
| ·不同沉积温度下所制备薄膜的纳米硬度分析 | 第51-52页 |
| ·本章结论 | 第52-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |