摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第10-23页 |
1.1 电致变色简介与电致变色材料的发展 | 第10-11页 |
1.2 电致变色器件的结构、组成 | 第11-16页 |
1.2.1 透明导电层(TC) | 第12页 |
1.2.2 电致变色层(EC) | 第12-15页 |
1.2.3 离子传导层(IC) | 第15-16页 |
1.2.4 离子储存层(CE) | 第16页 |
1.3 电致变色器件的工作原理和变色机理 | 第16-18页 |
1.4 电致变色基本术语 | 第18-20页 |
1.4.1 颜色对比度 | 第18-19页 |
1.4.2 变色效率 | 第19页 |
1.4.3 响应时间 | 第19-20页 |
1.4.4 循环寿命 | 第20页 |
1.5 常用的薄膜制备工艺 | 第20-21页 |
1.5.1 真空蒸镀法 | 第20页 |
1.5.2 化学气相沉积法 | 第20-21页 |
1.5.3 溶胶-凝胶法 | 第21页 |
1.5.4 阳极氧化法[37] | 第21页 |
1.6 本课题的研究目的及内容 | 第21-23页 |
第2章 磁控溅射镀膜工艺和薄膜测试方法 | 第23-31页 |
2.1 磁控溅射镀膜工艺 | 第23-27页 |
2.1.1 一般磁控溅射与反应磁控溅射 | 第23-25页 |
2.1.2 磁控溅射设备和实验流程 | 第25-27页 |
2.2 薄膜测试方法 | 第27-31页 |
2.2.0 X射线衍射分析方法(XRD) | 第27-29页 |
2.2.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第29页 |
2.2.2 紫外-可见分光光度计(UV-VIS spectrophotometer) | 第29页 |
2.2.3 四探针测试仪 | 第29-30页 |
2.2.4 循环测试仪 | 第30-31页 |
第3章 WO_3薄膜的制备及其性能研究 | 第31-41页 |
3.1 温度对薄膜性质的影响 | 第31-32页 |
3.2 沉积时间对薄膜性质的影响 | 第32-40页 |
3.2.1 薄膜的透射率 | 第33-34页 |
3.2.2 薄膜的XRD分析 | 第34-35页 |
3.2.3 薄膜的SEM测试分析 | 第35-38页 |
3.2.4 薄膜的着色与褪色性能 | 第38-40页 |
3.3 本章小结 | 第40-41页 |
第4章 TAOx薄膜的制备及其性能研究 | 第41-53页 |
4.1 沉积时间对薄膜性质的影响 | 第41-44页 |
4.1.1 薄膜的透射率 | 第42页 |
4.1.2 薄膜的XRD分析 | 第42-43页 |
4.1.3 薄膜的SEM测试分析 | 第43-44页 |
4.2 温度对薄膜性质的影响 | 第44-47页 |
4.2.1 薄膜的透射率 | 第45-46页 |
4.2.2 薄膜的XRD分析 | 第46-47页 |
4.2.3 薄膜的SEM测试分析 | 第47页 |
4.3 GLASS/FTO/WO_3/TaO_x的变色测试 | 第47-52页 |
4.3.1 Arnoldussen测试方法 | 第47-49页 |
4.3.2 GLASS/FTO/WO_3/TaO_x在LiClO_4/PC溶液中的变色测试 | 第49-51页 |
4.3.3 GLASS/FTO/WO_3/TaO_x/FTO/GLASS的变色测试 | 第51-52页 |
4.4 本章小结 | 第52-53页 |
第5章 含锂无机盐薄膜的制备及其性能研究 | 第53-60页 |
5.1 LIF薄膜的制备及其性能研究 | 第53-57页 |
5.1.1 单层LiF薄膜的制备 | 第53-55页 |
5.1.2 LiF/TiO_2薄膜的制备 | 第55-57页 |
5.2 钛酸锂薄膜的制备及其性能研究 | 第57-59页 |
5.3 本章小结 | 第59-60页 |
第6章 NiO_x与ITO薄膜的制备及性能研究 | 第60-72页 |
6.1 氩氧比对薄膜性质的影响 | 第60-64页 |
6.2 衬底温度对薄膜性能的影响 | 第64-68页 |
6.3 ITO薄膜的制备及其性能 | 第68-71页 |
6.4 FTO/WO_3/TaO_x/LiTi_xO_y/ITO器件的变色性能 | 第71-72页 |
第7章 结论与展望 | 第72-74页 |
参考文献 | 第74-77页 |
致谢 | 第77页 |