| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 铁氧体材料 | 第10-15页 |
| 1.2.1 铁氧体材料的分类 | 第10-11页 |
| 1.2.2 M型铁氧体(BaM)的结构和性能 | 第11-13页 |
| 1.2.3 BaM薄膜的应用 | 第13-14页 |
| 1.2.4 BaM薄膜的发展与研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3 BaM块材和薄膜的制备工艺 | 第15-17页 |
| 1.3.1 BaM块材的制备工艺 | 第15-16页 |
| 1.3.2 BaM薄膜的制备工艺 | 第16-17页 |
| 1.4 PLD制备技术及薄膜测量仪器 | 第17-20页 |
| 1.4.1 PLD技术 | 第17-18页 |
| 1.4.2 薄膜制备仪器 | 第18-19页 |
| 1.4.3 薄膜测量仪器 | 第19-20页 |
| 1.5 本论文主要工作及内容安排 | 第20-21页 |
| 第二章 BaM块材的制备 | 第21-29页 |
| 2.1 两步烧结法工艺流程 | 第21-23页 |
| 2.2 预烧样品结果分析 | 第23页 |
| 2.3 一步烧结样品结果分析 | 第23-24页 |
| 2.4 两步烧结样品结果分析 | 第24-27页 |
| 2.4.1 两步烧结法对BaM块材致密性和晶粒尺寸的影响 | 第24-26页 |
| 2.4.2 两步烧结法对BaM块材微观结构的影响 | 第26-27页 |
| 2.4.3 两步烧结法对BaM块材磁性的影响 | 第27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 BaM薄膜的制备 | 第29-39页 |
| 3.1 PLD法制备薄膜沉积工艺流程 | 第30-32页 |
| 3.2 BaM/Si薄膜均匀性分析 | 第32页 |
| 3.3 制膜工艺参数对BaM/Si薄膜的影响 | 第32-37页 |
| 3.3.1 氧气压强对BaM/Si薄膜的影响 | 第33-35页 |
| 3.3.2 退火对BaM/Si薄膜的影响 | 第35-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 缓冲层对BaM薄膜性能的影响 | 第39-47页 |
| 4.1 YSZ缓冲层对BaM结构和磁性的作用 | 第39-41页 |
| 4.2 Au缓冲层对BaM结构和磁性的作用 | 第41-46页 |
| 4.2.1 Au缓冲层在750℃沉积对BaM结构和磁性的影响 | 第41-44页 |
| 4.2.2 Au缓冲层在350℃沉积对BaM结构和磁性的影响 | 第44-46页 |
| 4.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 结论与展望 | 第47-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 附录 | 第55页 |
