| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 非易失性存储器概况 | 第8-9页 |
| 1.2 Flash存储器 | 第9-14页 |
| 1.2.1 Flash存储器的发展 | 第9-10页 |
| 1.2.2 Flash存储器的基本结构 | 第10-11页 |
| 1.2.3 Flash存储器的基本阵列 | 第11-13页 |
| 1.2.4 Flash存储器的现状和发展趋势 | 第13-14页 |
| 1.3 本文工作及结构安排 | 第14-16页 |
| 第二章 浮栅存储器的工作原理 | 第16-26页 |
| 2.1 浮栅单元的电容模型 | 第16-20页 |
| 2.2 电荷输运机制 | 第20-24页 |
| 2.2.1 沟道热电子注入（Channel Hot Electron Injection，CHEI） | 第20-21页 |
| 2.2.2 F-N隧穿（Fowler-Nordheim） | 第21-23页 |
| 2.2.3 输运机制比较 | 第23-24页 |
| 2.3 浮栅存储器的工作方式 | 第24-25页 |
| 2.3.1 编程操作 | 第24页 |
| 2.3.2 擦除操作 | 第24页 |
| 2.3.3 读取操作 | 第24-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 金属浮栅存储器的结构优化与分析 | 第26-39页 |
| 3.1 金属浮栅功函数对存储器的影响 | 第26-28页 |
| 3.2 浮栅结构对存储器的影响 | 第28-34页 |
| 3.2.1 编程操作 | 第29-31页 |
| 3.2.2 擦除操作 | 第31-34页 |
| 3.3 性能分析 | 第34-38页 |
| 3.3.1 编程过程分析 | 第34-36页 |
| 3.3.2 擦除过程分析 | 第36-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 SOI金属浮栅存储器的结构优化与分析 | 第39-53页 |
| 4.1 SOI金属浮栅存储器 | 第39-41页 |
| 4.1.1 SOI金属浮栅存储器的结构 | 第39-40页 |
| 4.1.2 性能对比 | 第40-41页 |
| 4.2 SOI金属浮栅存储器的结构优化 | 第41-50页 |
| 4.2.1 沟道深度优化 | 第42-44页 |
| 4.2.2 浮栅结构优化 | 第44-47页 |
| 4.2.3 对比分析 | 第47-50页 |
| 4.3 高k材料控制栅介质层的研究 | 第50-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 SOI金属浮栅存储器的工艺设计研究 | 第53-61页 |
| 5.1 工艺方案设计 | 第53-55页 |
| 5.2 工艺模拟 | 第55-60页 |
| 5.2.1 SOI衬底制备 | 第55页 |
| 5.2.2 隧穿氧化层生成 | 第55-56页 |
| 5.2.3 浮栅生成 | 第56-57页 |
| 5.2.4 控制栅介质层的形成 | 第57页 |
| 5.2.5 控制栅生成 | 第57-58页 |
| 5.2.6 淀积侧墙氧化物 | 第58-59页 |
| 5.2.7 源漏区离子注入与推结 | 第59页 |
| 5.2.8 淀积金属Al电极 | 第59-60页 |
| 5.3 本章小结 | 第60-61页 |
| 第六章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 6.1 总结 | 第61-62页 |
| 6.2 展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |