| 中文摘要 | 第4-7页 |
| abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第15-53页 |
| 1.1 有机半导体及存储材料的研究现状和发展前景 | 第15-18页 |
| 1.2 有机电存储材料的种类 | 第18-27页 |
| 1.2.1 共轭聚合物存储材料 | 第18-22页 |
| 1.2.2 共轭小分子存储材料 | 第22-25页 |
| 1.2.3 其它类型的有机电存储材料 | 第25-27页 |
| 1.2.3.1 有机共混电存储材料 | 第25-26页 |
| 1.2.3.2 有机-无机杂化电存储材料 | 第26-27页 |
| 1.3 有机电存储材料的发展趋势 | 第27-28页 |
| 1.4 基于D-A型有机分子共轭面特征变化的调控和构建策略 | 第28-47页 |
| 1.4.1 分子平面性调节策略 | 第28-32页 |
| 1.4.2 分子共轭链长度调节策略 | 第32-36页 |
| 1.4.3 分子对称性调节策略 | 第36-38页 |
| 1.4.4 杂原子取代调节策略 | 第38-47页 |
| 1.4.4.1 氧-硫-硒杂原子取代效应 | 第38-40页 |
| 1.4.4.2 氟原子取代效应 | 第40-43页 |
| 1.4.4.3 氮原子取代效应 | 第43-47页 |
| 1.5 本论文的目的意义和研究内容 | 第47-53页 |
| 1.5.1 本论文选题的目的及意义 | 第47-48页 |
| 1.5.2 本论文的研究内容 | 第48-51页 |
| 1.5.3 本论文的创新点 | 第51-53页 |
| 第二章 基于DPP共轭小分子的平面性调节对薄膜结晶取向及多进制存储性能影响研究 | 第53-70页 |
| 2.1 引言 | 第53-54页 |
| 2.2 实验部分 | 第54-59页 |
| 2.2.1 原料与试剂 | 第55页 |
| 2.2.2 NI_2PDPP和NI_2FDPP的合成 | 第55-58页 |
| 2.2.3 电存储器件的制备 | 第58页 |
| 2.2.4 测试方法 | 第58-59页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第59-69页 |
| 2.3.1 合成及热稳定性表征 | 第59页 |
| 2.3.2 光学和电化学性质 | 第59-61页 |
| 2.3.3 理论计算 | 第61-62页 |
| 2.3.4 薄膜表面形貌表征 | 第62页 |
| 2.3.5 薄膜微观纳米结构表征 | 第62-65页 |
| 2.3.6 器件存储性能 | 第65-66页 |
| 2.3.7 器件存储性能重现性 | 第66-67页 |
| 2.3.8 器件存储机制 | 第67-69页 |
| 2.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 第三章 共轭分子中引入噻吩桥键对多进制存储性能的影响及其机理的拓展研究 | 第70-88页 |
| 3.1 引言 | 第70-71页 |
| 3.2 实验部分 | 第71-77页 |
| 3.2.1 原料与试剂 | 第71页 |
| 3.2.2 NITnCzNO_2(n=0,1,2)系列小分子的合成 | 第71-77页 |
| 3.2.3 电存储器件的制备 | 第77页 |
| 3.2.4 测试方法 | 第77页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第77-87页 |
| 3.3.1 合成及热稳定性表征 | 第77-78页 |
| 3.3.2 理论计算 | 第78页 |
| 3.3.3 光学和电化学性质 | 第78-79页 |
| 3.3.4 薄膜表面形貌表征 | 第79页 |
| 3.3.5 薄膜微观纳米结构表征 | 第79-82页 |
| 3.3.6 器件存储性能 | 第82-83页 |
| 3.3.7 器件存储机理拓展研究 | 第83-87页 |
| 3.4 本章小结 | 第87-88页 |
| 第四章 基于共轭分子对称性构建分子间有序微观排列及其对多进制存储性能的影响研究 | 第88-107页 |
| 4.1 引言 | 第88-89页 |
| 4.2 实验部分 | 第89-93页 |
| 4.2.1 原料与试剂 | 第89-90页 |
| 4.2.2 NI_1TDPP和NI_2TDPP的合成 | 第90-93页 |
| 4.2.3 电存储器件的制备 | 第93页 |
| 4.2.4 测试方法 | 第93页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第93-106页 |
| 4.3.1 合成及热稳定性表征 | 第93-94页 |
| 4.3.2 光学和电化学性质 | 第94-95页 |
| 4.3.3 薄膜微观纳米结构表征 | 第95-98页 |
| 4.3.4 薄膜全反射红外光谱表征 | 第98-99页 |
| 4.3.5 固态核磁表征 | 第99-102页 |
| 4.3.6 器件存储性能 | 第102-103页 |
| 4.3.7 器件存储性能重现性 | 第103-104页 |
| 4.3.8 器件存储机制 | 第104-106页 |
| 4.4 本章小结 | 第106-107页 |
| 第五章 基于DPP共轭小分子的光电双重响应多进制存储器件制备与性能研究 | 第107-119页 |
| 5.1 引言 | 第107-108页 |
| 5.2 实验部分 | 第108-110页 |
| 5.2.1 原料与试剂 | 第108-109页 |
| 5.2.2 NI_2T_2DPP分子的合成 | 第109-110页 |
| 5.2.3 电存储器件的制备 | 第110页 |
| 5.2.4 测试方法 | 第110页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第110-118页 |
| 5.3.1 合成及热稳定性表征 | 第110-111页 |
| 5.3.2 器件的光电双重响应存储性能 | 第111-112页 |
| 5.3.3 存储器件的光电性能稳定性和重现性 | 第112-114页 |
| 5.3.4 分子电学性质及光电响应存储机制 | 第114-116页 |
| 5.3.5 薄膜表面形貌和微观纳米结构表征 | 第116-118页 |
| 5.4 本章小结 | 第118-119页 |
| 第六章 D-A型有机氮杂十环多并苯材料的设计合成及其多进制存储性能研究 | 第119-131页 |
| 6.1 引言 | 第119-122页 |
| 6.2 实验部分 | 第122-124页 |
| 6.2.1 原料与试剂 | 第122页 |
| 6.2.2 有机氮杂十环多并苯的合成 | 第122-124页 |
| 6.2.3 电存储器件的制备 | 第124页 |
| 6.2.4 测试方法 | 第124页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第124-130页 |
| 6.3.1 光学和电化学性质 | 第124-126页 |
| 6.3.2 薄膜表面形貌表征 | 第126页 |
| 6.3.3 薄膜微观纳米结构表征 | 第126-127页 |
| 6.3.4 器件存储性能 | 第127-128页 |
| 6.3.5 器件存储机制 | 第128-130页 |
| 6.4 本章小结 | 第130-131页 |
| 第七章 有机氮杂多并苯材料中受体数量和强度变化对器件存储进制和类型的调控研究 | 第131-143页 |
| 7.1 引言 | 第131-133页 |
| 7.2 实验部分 | 第133-135页 |
| 7.2.1 原料与试剂 | 第133页 |
| 7.2.2 Py-0-TQ,Py-1-TQ和Py-2-TQ的合成 | 第133-135页 |
| 7.2.3 电存储器件的制备 | 第135页 |
| 7.2.4 测试方法 | 第135页 |
| 7.3 结果与讨论 | 第135-141页 |
| 7.3.1 合成及热稳定性表征 | 第135-136页 |
| 7.3.2 光学和电化学性质 | 第136-137页 |
| 7.3.3 薄膜自组装表面形貌表征 | 第137-138页 |
| 7.3.4 薄膜微观纳米结构表征 | 第138-139页 |
| 7.3.5 器件存储性能 | 第139-140页 |
| 7.3.6 器件存储机制 | 第140-141页 |
| 7.4 本章小结 | 第141-143页 |
| 第八章 全文总结 | 第143-147页 |
| 8.1 全文总结 | 第143-145页 |
| 8.2 存在的问题与展望 | 第145-147页 |
| 参考文献 | 第147-164页 |
| 攻读学位期间公开发表的论文 | 第164-166页 |
| 致谢 | 第166-167页 |
