| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-27页 |
| ·量子霍耳效应与拓扑序 | 第10-12页 |
| ·量子自旋霍尔效应与螺旋边缘态 | 第12-15页 |
| ·三维拓扑绝缘体与表面态 | 第15-22页 |
| ·拓扑不变量 Z_2 | 第22-25页 |
| ·研究方法和研究内容 | 第25-27页 |
| 第二章 理论基础和计算方法 | 第27-41页 |
| ·多体问题 | 第27-28页 |
| ·绝热近似和单电子近似 | 第28-30页 |
| ·密度泛函理论 | 第30-34页 |
| ·Hohenberg–kohn 定理 | 第30-31页 |
| ·Kohn–Sham 方程 | 第31-32页 |
| ·局域密度近似和广义梯度近似 | 第32-34页 |
| ·布洛赫定理和超原胞模型 | 第34-36页 |
| ·布洛赫定理 | 第34-35页 |
| ·平面波基矢 | 第35页 |
| ·超原胞模型 | 第35-36页 |
| ·赝势方法 | 第36-37页 |
| ·VASP 程序包 | 第37-41页 |
| 第三章 拓扑绝缘体 Bi_2Te_2Se 薄膜电子结构的研究 | 第41-51页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·模型和方法 | 第42-44页 |
| ·结果和讨论 | 第44-49页 |
| ·结论 | 第49-51页 |
| 第四章 S 吸附在 Bi_2Te_3薄膜表面对其拓扑扑表面态的影响 | 第51-59页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·模型和方法 | 第51-53页 |
| ·结果和讨论 | 第53-58页 |
| ·Bi_2Te_3晶体的拓扑相变 | 第53-56页 |
| ·S 原子在 Bi_2Te_3(111)面的吸附 | 第56-58页 |
| ·结论 | 第58-59页 |
| 第五章 总结和研究展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 攻读硕士学位期间的科研成果 | 第71-72页 |