| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-28页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 纳米材料简介 | 第10-13页 |
| 1.2.1 纳米材料的基本物理效应 | 第10-12页 |
| 1.2.2 纳米材料的应用 | 第12页 |
| 1.2.3 纳米材料的常用制备方法 | 第12-13页 |
| 1.3 半导体材料简介 | 第13-14页 |
| 1.3.1 半导体材料的定义 | 第13页 |
| 1.3.2 半导体材料的分类 | 第13页 |
| 1.3.3 半导体材料的特性 | 第13-14页 |
| 1.4 纳米ZnO简介 | 第14-24页 |
| 1.4.1 纳米ZnO的基本性质 | 第14-17页 |
| 1.4.2 纳米ZnO的量子效应 | 第17页 |
| 1.4.3 纳米ZnO的性能应用 | 第17-19页 |
| 1.4.4 纳米ZnO的制备方法 | 第19-21页 |
| 1.4.5 纳米ZnO的表征仪器及参数 | 第21-24页 |
| 1.5 课题研究背景、内容、意义及国内外发展状况 | 第24-28页 |
| 1.5.1 课题研究背景 | 第24-25页 |
| 1.5.2 课题内容 | 第25页 |
| 1.5.3 课题意义 | 第25-26页 |
| 1.5.4 国内外发展状况 | 第26-28页 |
| 第2章 纳米ZnO的晶种制备及其表征 | 第28-36页 |
| 2.1 引言 | 第28页 |
| 2.2 纳米ZnO的晶种制备 | 第28-33页 |
| 2.2.1 实验试剂 | 第28页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第28-29页 |
| 2.2.3 实验流程 | 第29-30页 |
| 2.2.4 实验步骤 | 第30-33页 |
| 2.3 晶种SEM测试分析 | 第33-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第3章 水热法制备纳米ZnO阵列及其表征 | 第36-46页 |
| 3.1 水热法制备纳米ZnO阵列 | 第36-39页 |
| 3.1.1 实验试剂 | 第36页 |
| 3.1.2 实验仪器 | 第36页 |
| 3.1.3 实验流程 | 第36-37页 |
| 3.1.4 实验步骤 | 第37-39页 |
| 3.2 水热阵列生长机理及SEM测试分析 | 第39-43页 |
| 3.2.1 水热阵列生长机理 | 第39-40页 |
| 3.2.2 水热阵列的SEM表征结果与分析 | 第40-43页 |
| 3.3 XRD表征结果与分析 | 第43页 |
| 3.4 ZnO纳米阵列的紫外可见吸收光谱与分析 | 第43-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 第4章 CVD法制备ZnO薄膜及其表征 | 第46-54页 |
| 4.1 CVD法制备ZnO薄膜 | 第46-48页 |
| 4.1.1 实验试剂 | 第46页 |
| 4.1.2 实验仪器 | 第46页 |
| 4.1.3 实验流程 | 第46-47页 |
| 4.1.4 实验步骤 | 第47-48页 |
| 4.2 CVD法制备ZnO薄膜的生长机理及SEM测试分析 | 第48-50页 |
| 4.2.1 薄膜生长机理 | 第48-49页 |
| 4.2.2 薄膜的SEM表征结果与分析 | 第49-50页 |
| 4.3 ZnO薄膜的紫外可见吸收光谱与分析 | 第50-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-54页 |
| 第5章 ZnO异质PN结的制备及其性能表征 | 第54-64页 |
| 5.1 引言 | 第54页 |
| 5.2 掺杂的氧化锌薄膜和其异质PN结的制备 | 第54-58页 |
| 5.2.1 实验仪器 | 第54页 |
| 5.2.2 实验试剂 | 第54-55页 |
| 5.2.3 掺杂量的计算 | 第55页 |
| 5.2.4 实验步骤 | 第55-58页 |
| 5.3 ZnO薄膜的性能研究 | 第58-63页 |
| 5.3.1 XRD结构分析 | 第58-60页 |
| 5.3.2 ZnO薄膜电阻值的测量 | 第60-61页 |
| 5.3.3 pn结整流曲线的测量 | 第61-62页 |
| 5.3.4 退火温度对pn结电学性能的影响研究 | 第62-63页 |
| 5.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 结论及展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 致谢 | 第70页 |