| 摘要 | 第2-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 研究意义及研究目的 | 第8-9页 |
| 1.2 单晶蓝宝石超精密加工国内外研究现状 | 第9-13页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第9-11页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3 集群磁流变抛光研究现状 | 第13-14页 |
| 1.4 课题的主要研究内容 | 第14页 |
| 1.5 论文的组织架构 | 第14-16页 |
| 2 集群磁流变抛光材料去除模型 | 第16-27页 |
| 2.1 传统抛光工艺材料去除机理 | 第16-17页 |
| 2.2 单晶蓝宝石特性 | 第17-18页 |
| 2.3 集群磁流变抛光材料去除机理 | 第18-20页 |
| 2.4 集群磁流变抛光材料去除数学模型 | 第20-23页 |
| 2.5 集群磁流变抛光材料去除量实验 | 第23-26页 |
| 2.6 本章小结 | 第26-27页 |
| 3 抛光盘磁场有限元仿真及优化 | 第27-38页 |
| 3.1 不同结构抛光盘所产生的磁场差异 | 第27-30页 |
| 3.1.1 不同结构抛光盘磁场分布有限元仿真分析 | 第27-28页 |
| 3.1.2 不同结构抛光盘磁场分布仿真结果分析 | 第28-30页 |
| 3.2 不同形状的磁极所产生磁场的差异 | 第30-35页 |
| 3.2.1 不同形状磁极磁场分布有限元仿真分析 | 第30-31页 |
| 3.2.2 不同形状磁极磁场分布仿真结果分析 | 第31-35页 |
| 3.3 不同排列方式磁极所产生磁场的差异 | 第35-37页 |
| 3.3.1 不同排列方式磁极的磁场有限元仿真分析 | 第35页 |
| 3.3.2 不同排列方式磁极的磁场分布仿真结果分析 | 第35-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 4 集群磁流变抛光蓝宝石工艺实验 | 第38-62页 |
| 4.1 实验前的准备工作 | 第38-47页 |
| 4.1.1 游星盘的制作 | 第38-40页 |
| 4.1.2 基片的倒边 | 第40-41页 |
| 4.1.3 粗磨工艺与精磨工艺 | 第41-44页 |
| 4.1.4 粗抛工艺与粗抛液的配制 | 第44-46页 |
| 4.1.5 清洗方法及注意事项 | 第46-47页 |
| 4.2 集群磁流变抛光工艺实验 | 第47-53页 |
| 4.2.1 磁流变液的组成及配制方法 | 第47-49页 |
| 4.2.2 实验仪器 | 第49-51页 |
| 4.2.3 载物盘的选择 | 第51-53页 |
| 4.3 实验结果分析 | 第53-61页 |
| 4.3.1 抛光液种类对表面粗糙度的影响 | 第53-55页 |
| 4.3.2 磨料浓度对表面粗糙度的影响 | 第55-57页 |
| 4.3.3 抛光液pH对表面粗糙度的影响 | 第57-59页 |
| 4.3.4 抛光液温度对表面粗糙度的影响 | 第59-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 5 集群磁流变抛光参数对亚表面损伤深度的影响 | 第62-74页 |
| 5.1 亚表面损伤简介 | 第62-63页 |
| 5.2 亚表面损伤的形成机理 | 第63-64页 |
| 5.3 集群磁流变抛光中抛光参数与亚表面损伤深度的关系 | 第64-65页 |
| 5.4 抛光参数与亚表面损伤深度关系模型的验证实验 | 第65-67页 |
| 5.4.1 测量方法 | 第65-66页 |
| 5.4.2 实验方案设计 | 第66-67页 |
| 5.5 实验结果及分析 | 第67-71页 |
| 5.6 集群磁流变抛光去除单晶蓝宝石基片亚表面损伤验证实验 | 第71-73页 |
| 5.7 本章小结 | 第73-74页 |
| 6 结论与展望 | 第74-76页 |
| 6.1 结论 | 第74-75页 |
| 6.2 展望 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
