| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-28页 |
| 1.1 红外探测器的发展过程 | 第11-13页 |
| 1.2 红外探测器的分类 | 第13-15页 |
| 1.3 红外探测器的主要参数 | 第15-20页 |
| 1.3.1 黑体响应率 | 第16页 |
| 1.3.2 噪声 | 第16-18页 |
| 1.3.3 光谱响应 | 第18-19页 |
| 1.3.4 量子效率 | 第19页 |
| 1.3.5 探测率 | 第19-20页 |
| 1.4 高工作温度红外探测器(HOT Infrared Photodetectors) | 第20-25页 |
| 1.4.1 碲镉汞(HgCdTe)探测器 | 第20-22页 |
| 1.4.2 锑化物Ⅲ-Ⅴ族红外探测器 | 第22-24页 |
| 1.4.3 势垒型红外探测器(Barrier infrared detectors) | 第24-25页 |
| 1.5 InAsSb/GaSb带间跃迁量子阱红外探测器的选题及本文结构安排 | 第25-28页 |
| 第二章 分子束外延设备及测试设备介绍 | 第28-40页 |
| 2.1 分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE) | 第28-33页 |
| 2.1.1 MBE简介 | 第28页 |
| 2.1.2 MBE的生长原理及主要特点 | 第28-30页 |
| 2.1.3 MBE设备简介 | 第30-33页 |
| 2.2 计算和测试方法 | 第33-40页 |
| 2.2.1 有效质量模型 | 第34-35页 |
| 2.2.2 高分辨X射线衍射 | 第35-36页 |
| 2.2.3 原子力显微镜 | 第36-37页 |
| 2.2.4 傅里叶变换红外光谱仪 | 第37-38页 |
| 2.2.5 黑体响应率测量系统及I-V特性测量 | 第38-40页 |
| 第三章 InAsSb/GaSb多量子阱材料的生长 | 第40-59页 |
| 3.1 GaSb和InAsSb材料的性质 | 第40-45页 |
| 3.1.1 GaSb材料的基本性质 | 第41-43页 |
| 3.1.2 InAsSb材料的基本性质 | 第43-45页 |
| 3.2 GaSb材料的生长 | 第45-50页 |
| 3.2.1 GaSb衬底的脱氧化膜(Oxide removalprocess) | 第45-47页 |
| 3.2.2 GaSb的掺杂 | 第47-49页 |
| 3.2.3 Ⅴ/Ⅲ 比对GaSb材料生长的影响 | 第49-50页 |
| 3.3 生长温度对GaSb基单层InAsSb薄膜组分的影响 | 第50-51页 |
| 3.4 InAsSb/GaSb多量子阱材料的生长 | 第51-59页 |
| 3.4.1 晶格匹配的InAsSb/GaSb多量子阱材料的生长 | 第52-56页 |
| 3.4.2 应变InAsSb/GaSb多量子阱材料的生长 | 第56-59页 |
| 第四章 InAsSb/GaSb带间跃迁量子阱红外探测器能带计算及原型器件的制备与测量 | 第59-67页 |
| 4.1 晶格匹配的InAsSb/GaSb量子阱的能带计算 | 第59-60页 |
| 4.2 InAsSb/GaSb带间跃迁量子阱红外探测器原型器件的制备 | 第60-61页 |
| 4.3 InAsSb/GaSb多量子阱带间跃迁红外探测器原型器件的测量 | 第61-67页 |
| 4.3.1 光电流谱(photocurrent,PC) | 第62页 |
| 4.3.2 黑体响应率(Blackbody Responsivity,R_(bb)) | 第62-63页 |
| 4.3.3 暗电流特性(Dark current) | 第63-64页 |
| 4.3.4 探测率计算 | 第64-67页 |
| 第五章 InAsSb/GaSb带间跃迁量子阱红外探测器的波长扩展 | 第67-79页 |
| 5.1 应变InAsSb/GaSb量子阱的能带计算和器件验证 | 第67-69页 |
| 5.2 变阱宽InAsSb/GaSb量子阱的能带计算和器件验证 | 第69-73页 |
| 5.3 具有AlSb插层的InAsSb/GaSb量子阱的能带计算和器件验证 | 第73-76页 |
| 5.4 总结和展望 | 第76-79页 |
| 总结 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-93页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第93-95页 |
| 致谢 | 第95页 |
