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电阻抗成像的数值解法研究

摘要第3-4页
ABSTRACT第4页
1 绪论第7-11页
    1.1 课题的研究背景和意义第7页
    1.2 国内外研究现状第7-9页
    1.3 本文主要研究工作第9-11页
2 预备知识第11-15页
    2.1 微分方程正、反问题的有关概念第11页
    2.2 反问题的不适定性介绍第11-14页
    2.3 本章小结第14-15页
3 椭圆型方程正问题求解第15-27页
    3.1 谱方法第15-17页
        3.1.1 切比雪夫(Chebyshev)谱方法第15-17页
    3.2 数值模拟第17-25页
        3.2.1 数值模拟一第17-20页
        3.2.2 数值模拟二第20-22页
        3.2.3 数值模拟三第22-25页
    3.3 本章小结第25-27页
4 椭圆型方程反问题求解第27-35页
    4.1 SOA算法第27-29页
    4.2 数值模拟第29-33页
        4.2.1 数值模拟一第30-31页
        4.2.2 数值模拟二第31-33页
    4.3 本章小结第33-35页
5 电阻抗成像方程正问题求解第35-43页
    5.1 有限元法第35-36页
    5.2 EIT正问题第36-37页
    5.3 EIT正问题的变分公式第37页
    5.4 EIT离散化正问题的矩阵计算公式第37-41页
    5.5 本章小结第41-43页
6 电阻抗成像方程参数反问题求解第43-53页
    6.1 正则化高斯牛顿法第43页
    6.2 EIT反问题第43-48页
        6.2.1 EIT电导率重建思想第44页
        6.2.2 Gauss-Newton法第44-47页
        6.2.3 EITRegularizedGauss-Newton法第47-48页
    6.3 数值模拟第48-50页
        6.3.1 数值模拟一第48-49页
        6.3.2 数值模拟二第49-50页
    6.4 本章小结第50-53页
7 总结与展望第53-55页
致谢第55-57页
参考文献第57-61页
附录第61页

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