| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 半导体光催化机理 | 第10页 |
| 1.3 提高半导体光催化效率的手段 | 第10-14页 |
| 1.4 选题背景与意义 | 第14-16页 |
| 第2章 N-CQDs/Bi_2WO_6的合成及可见光下光催化降解RhB | 第16-33页 |
| 2.1 前言 | 第16-17页 |
| 2.2 实验 | 第17-19页 |
| 2.2.1 N-CQDs/Bi_2WO_6半导体光催化剂的制备 | 第17-18页 |
| 2.2.2 催化剂的表征 | 第18-19页 |
| 2.2.3 光催化性能评估 | 第19页 |
| 2.3 结果分析与讨论 | 第19-31页 |
| 2.3.1 N-CQDs的形貌及荧光特性分析 | 第19-21页 |
| 2.3.2 N-CQDs/Bi_2WO_6的物相及组分分析 | 第21-22页 |
| 2.3.3 N-CQDs/Bi_2WO_6的红外结果分析 | 第22-23页 |
| 2.3.4 N-CQDs/Bi_2WO_6的形貌分析 | 第23-24页 |
| 2.3.5 N-CQDs/Bi_2WO_6的N2吸附-脱附等温曲线分析 | 第24-25页 |
| 2.3.6 N-CQDs/Bi_2WO_6的表面化学态分析 | 第25-26页 |
| 2.3.7 N-CQDs/Bi_2WO_6的光吸收性能分析 | 第26-27页 |
| 2.3.8 N-CQDs/Bi_2WO_6的光电性能分析 | 第27-28页 |
| 2.3.9 N-CQDs/Bi_2WO_6的光催化性能分析 | 第28-29页 |
| 2.3.10 光催化机理分析 | 第29-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-33页 |
| 第3章 MXene/Bi_2WO_6的制备及其光催化氧化VOCs | 第33-51页 |
| 3.1 前言 | 第33-35页 |
| 3.2 实验 | 第35-37页 |
| 3.2.1 MXene/Bi_2WO_6半导体材料的制备 | 第35页 |
| 3.2.2 MXene/Bi_2WO_6半导体材料的表征 | 第35-36页 |
| 3.2.3 MXene/Bi_2WO_6半导体材料的光催化性能测试 | 第36-37页 |
| 3.3 结果分析与讨论 | 第37-49页 |
| 3.3.1 MXene/Bi_2WO_6的物相分析 | 第38-39页 |
| 3.3.2 MXene/Bi_2WO_6的组分分析 | 第39-40页 |
| 3.3.3 MXene/Bi_2WO_6的形貌分析 | 第40-41页 |
| 3.3.4 MXene/Bi_2WO_6表面化学态分析 | 第41-42页 |
| 3.3.5 MXene/Bi_2WO_6N2吸附-脱附等温曲线分析 | 第42-43页 |
| 3.3.6 MXene/Bi_2WO_6光电特性分析 | 第43-44页 |
| 3.3.7 紫外-可见漫反射光谱分析 | 第44-45页 |
| 3.3.8 光催化性能分析 | 第45-46页 |
| 3.3.9 光催化机理分析 | 第46-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第4章 结论 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-61页 |
| 附录 | 第61页 |
