| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 GaN的基本性质 | 第11-15页 |
| 1.2.1 GaN的晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 GaN的物理性质 | 第12-13页 |
| 1.2.3 GaN的化学性质 | 第13-14页 |
| 1.2.4 GaN的电学性质 | 第14页 |
| 1.2.5 GaN的光学性质 | 第14-15页 |
| 1.3 GaN材料的应用 | 第15-18页 |
| 1.3.1 GaN基LED | 第15-16页 |
| 1.3.2 GaN基激光二极管 | 第16-17页 |
| 1.3.3 GaN基紫外探测器 | 第17页 |
| 1.3.4 GaN基高电子迁移率晶体管 | 第17-18页 |
| 1.4 GaN晶体的制备 | 第18-22页 |
| 1.4.1 外延衬底材料 | 第18-19页 |
| 1.4.2 GaN晶体生长技术 | 第19-20页 |
| 1.4.3 提高GaN晶体质量的技术 | 第20-22页 |
| 1.5 本文选题依据、研究意义及研究内容 | 第22-24页 |
| 第二章 MOCVD系统及材料表征手段 | 第24-34页 |
| 2.0 MOCVD系统简介 | 第24-27页 |
| 2.1 MOCVD生长GaN外延层的机理 | 第27-28页 |
| 2.2 材料表征方法概述 | 第28-34页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜 | 第28-29页 |
| 2.2.2 X射线能量色散谱仪 | 第29-30页 |
| 2.2.3 原子力显微镜 | 第30-31页 |
| 2.2.4 高分辨X射线衍射 | 第31-33页 |
| 2.2.5 光致发光 | 第33-34页 |
| 第三章 原位沉积SiN_x插入层调控GaN薄膜微观结构的研究 | 第34-46页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 样品制备 | 第34-35页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第35-45页 |
| 3.3.1 SiN_x插入层沉积时间调控GaN薄膜微观结构 | 第35-38页 |
| 3.3.2 SiN_x插入层沉积位置调控GaN薄膜微观结构 | 第38-40页 |
| 3.3.3 SiN_x插入层调控GaN薄膜位错密度的机理分析 | 第40-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 原位沉积SiN_x掩膜层调控GaN纳米多孔结构的研究 | 第46-56页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 样品制备 | 第46-47页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第47-54页 |
| 4.3.1 不同腐蚀时间下GaN纳米多孔结构的调控 | 第47-50页 |
| 4.3.2 不同腐蚀温度下GaN纳米多孔结构的调控 | 第50-52页 |
| 4.3.4 SiN_x掩膜层对GaN纳米多孔结构的调控机制 | 第52-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 结论与展望 | 第56-58页 |
| 5.1 结论 | 第56-57页 |
| 5.2 展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 攻读硕士期间取得的科研成果 | 第68页 |
