| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.2.1 高线性大功率激光器的国内外研究现状 | 第12-13页 |
| 1.2.2 高线性大功率激光器中光栅结构的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 本文研究内容及目的 | 第14-15页 |
| 1.4 论文结构安排 | 第15-16页 |
| 1.5 本章小结 | 第16-17页 |
| 第二章 高线性大功率激光器中光栅结构原理 | 第17-28页 |
| 2.1 高线性大功率激光器概述 | 第17-19页 |
| 2.1.1 半导体激光器简述 | 第17页 |
| 2.1.2 高线性大功率激光器的原理分析 | 第17-19页 |
| 2.1.3 高线性大功率激光器的空间烧孔效应 | 第19页 |
| 2.2 增益耦合光栅结构的激光器 | 第19-20页 |
| 2.3 高线性大功率激光器中增益耦合系数 | 第20-23页 |
| 2.3.1 高线性大功率激光器耦合系数的结构定义 | 第20-22页 |
| 2.3.2 波纹形状对耦合系数的影响 | 第22-23页 |
| 2.4 复杂光栅结构的高线性大功率激光器分析 | 第23-27页 |
| 2.4.1 多相移光栅高线性大功率激光器 | 第23-24页 |
| 2.4.2 节距调节光栅高线性大功率激光器 | 第24-25页 |
| 2.4.3 取样光栅高线性大功率激光器 | 第25-26页 |
| 2.4.4 重构等效啁啾技术的高线性大功率激光器 | 第26页 |
| 2.4.5 分布耦合系数光栅高线性大功率激光器 | 第26-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 高线性大功率激光器中增益耦合型光栅结构的优化 | 第28-41页 |
| 3.1 理论分析 | 第28-31页 |
| 3.2 仿真和实验及分析 | 第31-38页 |
| 3.2.1 增益耦合光栅优化的仿真、测试分析 | 第31-36页 |
| 3.2.2 制作光栅结构的装置及步骤 | 第36-38页 |
| 3.3 高线性大功率激光器中光栅的制作技术 | 第38-40页 |
| 3.3.1 全息曝光技术制作光栅 | 第38页 |
| 3.3.2 光学曝光技术制作光栅 | 第38-39页 |
| 3.3.3 电子束曝光技术制作光栅 | 第39-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 高线性大功率激光器阵列的研究 | 第41-51页 |
| 4.1 高线性大功率的实现 | 第41-44页 |
| 4.1.1 AlGaInAs应变多量子阱材料仿真 | 第41-43页 |
| 4.1.2 结果分析 | 第43-44页 |
| 4.2 硅基微波光子芯片集成 | 第44-49页 |
| 4.2.1 微波光子芯片技术 | 第44-45页 |
| 4.2.2 硅基微波光子芯片集成技术 | 第45-48页 |
| 4.2.3 硅基微波光子芯片集成的关键技术 | 第48-49页 |
| 4.3 硅基微波光子芯片发展趋势 | 第49-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 总结与展望 | 第51-53页 |
| 5.1 主要研究工作总结 | 第51-52页 |
| 5.2 对于未来工作的展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第59页 |