| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 ZnO透明导电薄膜及其掺杂体系 | 第10-11页 |
| 1.3 ZnO基透明导电薄膜的应用 | 第11-13页 |
| 1.4 ZnO基薄膜的制备方法 | 第13-15页 |
| 1.4.1 溶胶-凝胶法 | 第13页 |
| 1.4.2 化学气相沉积法 | 第13-14页 |
| 1.4.3 喷涂热分解法 | 第14页 |
| 1.4.4 分子束外延 | 第14-15页 |
| 1.4.5 溅射镀膜法 | 第15页 |
| 1.5 多晶薄膜的生长模式与机理 | 第15-17页 |
| 1.5.1 多晶薄膜的形成 | 第15-16页 |
| 1.5.2 多晶薄膜的晶粒间界 | 第16-17页 |
| 1.5.3 多晶薄膜中的微观缺陷 | 第17页 |
| 1.6 溅射的基本理论 | 第17-20页 |
| 1.6.1 磁控溅射法制备薄膜原理 | 第19-20页 |
| 1.6.2 影响磁控溅射法制备薄膜质量的主要因素 | 第20页 |
| 1.7 主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 Al-Zr共掺杂ZnO透明导电薄膜的微结构及性能 | 第21-48页 |
| 2.1 共掺杂ZnO透明导电薄膜的制备 | 第21-22页 |
| 2.1.1 磁控溅射装置 | 第21-22页 |
| 2.1.2 实验所用靶材 | 第22页 |
| 2.1.3 基底材料及预处理方法 | 第22页 |
| 2.2 薄膜样品的结构与性能分析方法 | 第22-25页 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD) | 第22-23页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第23页 |
| 2.2.3 紫外-可见分光光度计(UV-VIS) | 第23页 |
| 2.2.4 样品薄膜厚度的测量 | 第23页 |
| 2.2.5 薄膜样品的电学性能测量 | 第23-25页 |
| 2.3 溅射压强对Al-Zr共掺杂ZnO薄膜的影响 | 第25-31页 |
| 2.3.1 溅射压强对AZZO薄膜结构特性的影响 | 第25-26页 |
| 2.3.2 溅射压强与AZZO薄膜沉积速率的关系 | 第26-27页 |
| 2.3.3 溅射压强对AZZO薄膜表面形貌的影响 | 第27-28页 |
| 2.3.4 溅射压强对AZZO薄膜光学性能的影响 | 第28-29页 |
| 2.3.5 溅射压强对AZZO薄膜电学性能的影响 | 第29-31页 |
| 2.4 溅射功率对Al-Zr共掺杂ZnO薄膜的影响 | 第31-36页 |
| 2.4.1 溅射功率对AZZO薄膜结构特性的影响 | 第31-32页 |
| 2.4.2 溅射功率对AZZO薄膜表面形貌的影响 | 第32-33页 |
| 2.4.3 溅射功率对AZZO薄膜光学性能的影响 | 第33-35页 |
| 2.4.4 溅射功率对AZZO薄膜电学性能的影响 | 第35-36页 |
| 2.5 靶基距对Al-Zr共掺杂ZnO薄膜的影响 | 第36-42页 |
| 2.5.1 靶基距对AZZO薄膜表面形貌的影响 | 第36-37页 |
| 2.5.2 靶基距对AZZO薄膜结构特性的影响 | 第37-39页 |
| 2.5.3 靶基距与AZZO薄膜沉积速率的关系 | 第39页 |
| 2.5.4 靶基距对AZZO薄膜光学性能的影响 | 第39-40页 |
| 2.5.5 靶基距对AZZO薄膜电学性能的影响 | 第40-42页 |
| 2.6 薄膜厚度对Al-Zr共掺杂ZnO薄膜的影响 | 第42-47页 |
| 2.6.1 溅射时间与AZZO薄膜厚度的关系 | 第42-43页 |
| 2.6.2 薄膜厚度对AZZO薄膜结构特性的影响 | 第43-44页 |
| 2.6.3 薄膜厚度对AZZO薄膜表面形貌的影响 | 第44-45页 |
| 2.6.4 薄膜厚度对AZZO薄膜光学性能的影响 | 第45-46页 |
| 2.6.5 薄膜厚度对AZZO薄膜电学性能的影响 | 第46-47页 |
| 2.7 本章小结 | 第47-48页 |
| 第三章 Zr-Ga共掺杂Zn0透明导电薄膜的微结构及性能 | 第48-74页 |
| 3.1 Zr-Ga共掺杂ZnO薄膜的制备 | 第48页 |
| 3.2 溅射压强对Zr-Ga共掺杂ZnO薄膜的影响 | 第48-54页 |
| 3.2.1 溅射压强对ZGZO薄膜结构特性的影响 | 第48-49页 |
| 3.2.2 溅射压强对ZGZO薄膜表面形貌的影响 | 第49-51页 |
| 3.2.3 溅射压强对ZGZO薄膜光学性能的影响 | 第51-52页 |
| 3.2.4 溅射压强对ZGZO薄膜电学性能的影响 | 第52-54页 |
| 3.3 溅射功率对Zr-Ga共掺杂ZnO薄膜的影响 | 第54-59页 |
| 3.3.1 溅射功率对ZGZO薄膜结构特性的影响 | 第54-55页 |
| 3.3.2 溅射功率对ZGZO薄膜表面形貌的影响 | 第55-56页 |
| 3.3.3 溅射功率对ZGZO薄膜光学性能的影响 | 第56-58页 |
| 3.3.4 溅射功率ZGZO薄膜电学性能的影响 | 第58-59页 |
| 3.4 靶基距对Zr-Ga共掺杂ZnO薄膜的影响 | 第59-63页 |
| 3.4.1 靶基距对ZGZO薄膜结构特性的影响 | 第59-60页 |
| 3.4.2 靶基距对ZGZO薄膜表面形貌的影响 | 第60-61页 |
| 3.4.3 靶基距对ZGZO薄膜光学性能的影响 | 第61-62页 |
| 3.4.4 靶基距对ZGZO薄膜电学性能的影响 | 第62-63页 |
| 3.5 薄膜厚度对Zr-Ga共掺杂ZnO薄膜的影响 | 第63-69页 |
| 3.5.2 薄膜厚度对ZGZO薄膜结构特性的影响 | 第64-65页 |
| 3.5.3 薄膜厚度对ZGZO薄膜表面形貌的影响 | 第65-66页 |
| 3.5.4 薄膜厚度对ZGZO薄膜光学性能的影响 | 第66-68页 |
| 3.5.5 薄膜厚度对ZGZO薄膜电学性能的影响 | 第68-69页 |
| 3.6 基底负偏压对Zr-Ga共掺杂ZnO薄膜的影响 | 第69-73页 |
| 3.6.1 基底偏压对ZGZO薄膜结构特性的影响 | 第69-70页 |
| 3.6.2 基底偏压对ZGZO薄膜表面形貌的影响 | 第70-71页 |
| 3.6.3 基底偏压对ZGZO薄膜光学性能的影响 | 第71-72页 |
| 3.6.4 基底偏压对ZGZO薄膜电学性能的影响 | 第72-73页 |
| 3.7 本章小结 | 第73-74页 |
| 第四章 结论 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 在学期间公开发表论文及著作情况 | 第81-83页 |
| 致谢 | 第83页 |
