| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-26页 |
| 1.1 引言 | 第11-15页 |
| 1.2 薄膜晶体管的基本理论 | 第15-20页 |
| 1.2.1 薄膜晶体管的器件结构 | 第15页 |
| 1.2.2 薄膜晶体管的工作原理 | 第15-17页 |
| 1.2.3 薄膜晶体管的电学性能 | 第17-18页 |
| 1.2.4 薄膜晶体管的主要性能参数 | 第18-20页 |
| 1.3 薄膜晶体管的类型及其性能比较 | 第20-23页 |
| 1.3.1 薄膜晶体管的分类 | 第20-22页 |
| 1.3.2 不同类型薄膜晶体管的性能比较 | 第22-23页 |
| 1.4 本文的研究背景、研究意义和内容 | 第23-26页 |
| 1.4.1 本文研究背景 | 第23页 |
| 1.4.2 研究意义 | 第23-24页 |
| 1.4.3 研究内容 | 第24-26页 |
| 第2章 薄膜晶体管的制备工艺与测试技术 | 第26-37页 |
| 2.1 薄膜晶体管衬底的前期清洗 | 第26-27页 |
| 2.2 薄膜的制备技术以及器件制备流程 | 第27-31页 |
| 2.2.1 等离子体化学气相沉积 | 第27-28页 |
| 2.2.2 磁控溅射法 | 第28-30页 |
| 2.2.3 电子束蒸发 | 第30-31页 |
| 2.3 薄膜晶体管的测试技术 | 第31-36页 |
| 2.3.1 半导体参数分析仪 | 第31-32页 |
| 2.3.2 阻抗分析仪 | 第32-33页 |
| 2.3.3 霍尔效应分析仪 | 第33页 |
| 2.3.4 扫描电子显微镜 | 第33-34页 |
| 2.3.5 扫描探针显微镜 | 第34-35页 |
| 2.3.6 多晶 X 射线衍射仪 | 第35页 |
| 2.3.7 紫外分光光度仪 | 第35-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第3章 制备薄膜的相关性能分析 | 第37-43页 |
| 3.1 引言 | 第37页 |
| 3.2 微孔 SiO_2栅介质的结构分析和双电层效应 | 第37-40页 |
| 3.2.1 SEM | 第38-39页 |
| 3.2.2 双电层效应 | 第39-40页 |
| 3.3 IZO 薄膜的形貌结构分析 | 第40-42页 |
| 3.3.1 XRD 图谱 | 第40-41页 |
| 3.3.2 AFM 图像 | 第41-42页 |
| 3.3.3 霍尔参数 | 第42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 IZO 低压无结薄膜晶体管及其稳定性的研究 | 第43-50页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 可调节工作模式的 IZO 低压无结薄膜晶体管 | 第43-46页 |
| 4.2.1 器件结构与电容特性 | 第43-45页 |
| 4.2.2 晶体管电学性能 | 第45-46页 |
| 4.3 氧压对 IZO 低压无结薄膜晶体管稳定性的影响 | 第46-49页 |
| 4.3.1 器件制备过程 | 第46-47页 |
| 4.3.2 实验结果研究与分析 | 第47-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第5章 双侧栅无结 IZO 薄膜晶体管的研究 | 第50-56页 |
| 5.1 引言 | 第50页 |
| 5.2 器件制备过程 | 第50-51页 |
| 5.3 结果讨论与分析 | 第51-54页 |
| 5.3.1 双侧栅电极静电调控 | 第51-52页 |
| 5.3.2 双侧栅电极无结薄膜晶体管的电学性能测试与分析 | 第52-54页 |
| 5.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 附录A（攻读学位期间所发表的学术论文目录） | 第63页 |
