| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 快恢复功率二极管的研究意义 | 第8-10页 |
| 1.2 国内外研究进展 | 第10-12页 |
| 1.3 提升快恢复功率二极管特性的方法 | 第12页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第12-14页 |
| 2 功率二极管的特性和工作机理 | 第14-24页 |
| 2.1 传统pin二极管 | 第14-19页 |
| 2.1.2 功率二极管静态特性 | 第14-17页 |
| 2.1.3 功率二极管动态特性 | 第17-19页 |
| 2.2 P~+(SiGe)-n~--n~+二极管 | 第19-22页 |
| 2.2.1 基本结构 | 第19页 |
| 2.2.2 Si_(1-x)Ge_x基本性质 | 第19-21页 |
| 2.2.3 P~+(SiGe)-n~--n~+二极管特性 | 第21-22页 |
| 2.3 本章小结 | 第22-24页 |
| 3 复合结构快恢复功率二极管的特性和工艺研究 | 第24-44页 |
| 3.1 器件结构 | 第24-25页 |
| 3.2 SSD结构二极管特性模拟与优化 | 第25-28页 |
| 3.2.1 调节P区掺杂浓度 | 第25-26页 |
| 3.2.2 调节P区宽度 | 第26-27页 |
| 3.2.3 调节P区厚度 | 第27-28页 |
| 3.3 MOSAIC结构二极管特性模拟与优化 | 第28-32页 |
| 3.3.1 调节P区掺杂浓度 | 第28-30页 |
| 3.3.2 调节P区宽度 | 第30-31页 |
| 3.3.3 调节P区厚度 | 第31-32页 |
| 3.4 几种二极管的特性对比 | 第32-33页 |
| 3.5 复合结构快恢复二极管的工艺流程 | 第33-40页 |
| 3.5.1 单步工艺流程介绍 | 第34-38页 |
| 3.5.2 整体工艺流程 | 第38-40页 |
| 3.6 实验结果的间接验证 | 第40-43页 |
| 3.7 本章小结 | 第43-44页 |
| 4 阴极不均匀掺杂的SiGe/Si功率二极管的特性和工艺研究 | 第44-56页 |
| 4.1 器件结构 | 第44-45页 |
| 4.2 器件特性的模拟分析及优化 | 第45-51页 |
| 4.2.1 阴极N区浓度对二极管电学特性的影响 | 第45-46页 |
| 4.2.2 阴极N区宽度对二极管电学特性的影响 | 第46-47页 |
| 4.2.3 阴极N区厚度对二极管电学特性的影响 | 第47-48页 |
| 4.2.4 阳极Ge含量对二极管电学特性的影响 | 第48-49页 |
| 4.2.5 器件的特性对比 | 第49-51页 |
| 4.3 工艺流程 | 第51-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 5 结论 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 附录 | 第64页 |