| 摘要 | 第9-11页 |
| ABSTRACT | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第13-24页 |
| 1.1 红外隐身概述 | 第13-15页 |
| 1.1.1 红外隐身的基本理论 | 第13-14页 |
| 1.1.2 红外隐身技术的发展现状 | 第14-15页 |
| 1.2 选择性低发射率材料的研究现状 | 第15-21页 |
| 1.2.1 选择性低发射率涂层的实现方法 | 第15-18页 |
| 1.2.2 基于光子晶体的选择性低发射率涂层 | 第18-19页 |
| 1.2.3 一维光子晶体的理论计算 | 第19-21页 |
| 1.3 选题依据与研究内容 | 第21-24页 |
| 1.3.1 选题依据 | 第21页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第21-24页 |
| 第二章 涂层的制备与表征方法 | 第24-29页 |
| 2.1 磁控溅射设备简介 | 第24页 |
| 2.2 工艺参数与工艺流程 | 第24-27页 |
| 2.3 表征分析与性能测试 | 第27-29页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜 | 第27页 |
| 2.3.2 物镜球差校正场发射透射电镜 | 第27页 |
| 2.3.3 FIB/SEM聚焦双束显微电镜 | 第27页 |
| 2.3.4 原子力显微镜 | 第27页 |
| 2.3.5 X射线光电子能谱仪 | 第27-28页 |
| 2.3.6 X射线衍射分析 | 第28页 |
| 2.3.7 椭偏仪 | 第28页 |
| 2.3.8 发射率测试 | 第28-29页 |
| 第三章 选择性低发射率涂层的设计 | 第29-45页 |
| 3.1 选择性低发射率涂层的结构设计与材料选择 | 第29-33页 |
| 3.1.1 选择性低发射率涂层的结构设计与目标 | 第29-30页 |
| 3.1.2 选择性低发射率涂层亚层材料的选定 | 第30-33页 |
| 3.2 亚层光学常数的拟合 | 第33-37页 |
| 3.2.1 光学常数的拟合方法 | 第33-35页 |
| 3.2.2 亚层光学常数的拟合 | 第35-37页 |
| 3.3 选择性低发射率涂层的设计 | 第37-45页 |
| 3.3.1 亚层材料高低折射率之比对光谱反射率的影响 | 第39-40页 |
| 3.3.2 亚层厚度之比对光谱反射率的影响 | 第40-41页 |
| 3.3.3 亚层周期数对光谱反射率的影响 | 第41-42页 |
| 3.3.4 选择性低发射率涂层的结构优化设计 | 第42-45页 |
| 第四章 选择性低发射率涂层的结构与性能表征 | 第45-74页 |
| 4.1 选择性低发射率涂层中亚层的制备研究 | 第45-61页 |
| 4.1.1 不同工艺参数对亚层生长速率的影响 | 第45-49页 |
| 4.1.2 亚层的形貌表征 | 第49-57页 |
| 4.1.3 亚层的结构表征 | 第57-58页 |
| 4.1.4 亚层的成分分析 | 第58-61页 |
| 4.2 选择性低发射率涂层的制备与表征 | 第61-72页 |
| 4.2.1 Ge/ZnS涂层的结构表征 | 第61-65页 |
| 4.2.2 Ge/ZnS涂层制备的理论分析与改进 | 第65-66页 |
| 4.2.3 Ge/MgF2涂层的结构表征 | 第66-71页 |
| 4.2.4 Ge/MgF2涂层制备的理论分析 | 第71-72页 |
| 4.2.5 小结 | 第72页 |
| 4.3 涂层的性能测试与误差分析 | 第72-74页 |
| 4.3.1 涂层的发射率测试 | 第72-73页 |
| 4.3.2 误差分析 | 第73-74页 |
| 第五章 结论与展望 | 第74-77页 |
| 5.1 全文主要结论 | 第74-75页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-85页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第85页 |