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选择性低发射率涂层的设计与制备研究

摘要第9-11页
ABSTRACT第11-12页
第一章 绪论第13-24页
    1.1 红外隐身概述第13-15页
        1.1.1 红外隐身的基本理论第13-14页
        1.1.2 红外隐身技术的发展现状第14-15页
    1.2 选择性低发射率材料的研究现状第15-21页
        1.2.1 选择性低发射率涂层的实现方法第15-18页
        1.2.2 基于光子晶体的选择性低发射率涂层第18-19页
        1.2.3 一维光子晶体的理论计算第19-21页
    1.3 选题依据与研究内容第21-24页
        1.3.1 选题依据第21页
        1.3.2 研究内容第21-24页
第二章 涂层的制备与表征方法第24-29页
    2.1 磁控溅射设备简介第24页
    2.2 工艺参数与工艺流程第24-27页
    2.3 表征分析与性能测试第27-29页
        2.3.1 扫描电子显微镜第27页
        2.3.2 物镜球差校正场发射透射电镜第27页
        2.3.3 FIB/SEM聚焦双束显微电镜第27页
        2.3.4 原子力显微镜第27页
        2.3.5 X射线光电子能谱仪第27-28页
        2.3.6 X射线衍射分析第28页
        2.3.7 椭偏仪第28页
        2.3.8 发射率测试第28-29页
第三章 选择性低发射率涂层的设计第29-45页
    3.1 选择性低发射率涂层的结构设计与材料选择第29-33页
        3.1.1 选择性低发射率涂层的结构设计与目标第29-30页
        3.1.2 选择性低发射率涂层亚层材料的选定第30-33页
    3.2 亚层光学常数的拟合第33-37页
        3.2.1 光学常数的拟合方法第33-35页
        3.2.2 亚层光学常数的拟合第35-37页
    3.3 选择性低发射率涂层的设计第37-45页
        3.3.1 亚层材料高低折射率之比对光谱反射率的影响第39-40页
        3.3.2 亚层厚度之比对光谱反射率的影响第40-41页
        3.3.3 亚层周期数对光谱反射率的影响第41-42页
        3.3.4 选择性低发射率涂层的结构优化设计第42-45页
第四章 选择性低发射率涂层的结构与性能表征第45-74页
    4.1 选择性低发射率涂层中亚层的制备研究第45-61页
        4.1.1 不同工艺参数对亚层生长速率的影响第45-49页
        4.1.2 亚层的形貌表征第49-57页
        4.1.3 亚层的结构表征第57-58页
        4.1.4 亚层的成分分析第58-61页
    4.2 选择性低发射率涂层的制备与表征第61-72页
        4.2.1 Ge/ZnS涂层的结构表征第61-65页
        4.2.2 Ge/ZnS涂层制备的理论分析与改进第65-66页
        4.2.3 Ge/MgF2涂层的结构表征第66-71页
        4.2.4 Ge/MgF2涂层制备的理论分析第71-72页
        4.2.5 小结第72页
    4.3 涂层的性能测试与误差分析第72-74页
        4.3.1 涂层的发射率测试第72-73页
        4.3.2 误差分析第73-74页
第五章 结论与展望第74-77页
    5.1 全文主要结论第74-75页
    5.2 后续工作展望第75-77页
致谢第77-79页
参考文献第79-85页
作者在学期间取得的学术成果第85页

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