| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 电阻转变现象的分类与应用 | 第9-10页 |
| 1.1.1 记忆电阻转变(Memory Resistive Switching) | 第9-10页 |
| 1.1.2 阈值电阻转变(Threshold Resistive Switching | 第10页 |
| 1.2 硅基薄膜电阻转变特性的研究现状 | 第10-19页 |
| 1.2.1 氧化硅薄膜电阻转变特性研究进展 | 第11-13页 |
| 1.2.2 氮化硅薄膜电阻转变特性研究进展 | 第13-17页 |
| 1.2.3 氮氧化硅薄膜电阻转变特性研究进展 | 第17-18页 |
| 1.2.4 碳氧化硅薄膜电阻转变特性研究进展 | 第18-19页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 硅基薄膜的制备与表征 | 第20-25页 |
| 2.1 硅基薄膜的制备 | 第20-22页 |
| 2.1.1 实验设备 | 第20-21页 |
| 2.1.2 衬底选择和清洗 | 第21页 |
| 2.1.3 硅基薄膜的制备 | 第21-22页 |
| 2.1.4 金属电极的制备 | 第22页 |
| 2.2 硅基薄膜阻变存储器的表征方法 | 第22-25页 |
| 2.2.1 电流-电压(I-V)特性测试 | 第22-23页 |
| 2.2.2 电容-电压(C-V)特性测试 | 第23页 |
| 2.2.3 薄膜厚度测试 | 第23-24页 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱(XPS) | 第24-25页 |
| 第三章 氧化硅薄膜的制备及电阻开关特性研究 | 第25-40页 |
| 3.1 反应溅射法制备氧硅薄膜 | 第25-31页 |
| 3.1.1 器件制备 | 第25-26页 |
| 3.1.2 器件表征结果 | 第26-29页 |
| 3.1.3 电阻转变机理分析 | 第29-31页 |
| 3.2 共溅法制备富硅的氧化硅薄膜 | 第31-39页 |
| 3.2.1 器件制备 | 第31-32页 |
| 3.2.2 器件表征结果 | 第32-36页 |
| 3.2.3 电阻转变机理分析 | 第36-39页 |
| 3.3 小结 | 第39-40页 |
| 第四章 氮化硅薄膜的制备及电阻开关特性研究 | 第40-49页 |
| 4.1 器件制备 | 第40页 |
| 4.2 器件表征结果 | 第40-44页 |
| 4.3 器件导电行为及电阻转变机理分析 | 第44-47页 |
| 4.4 小结 | 第47-49页 |
| 第五章 氮氧化硅薄膜的制备及电阻开关特性研究 | 第49-57页 |
| 5.1 器件制备 | 第49-50页 |
| 5.2 器件表征结果 | 第50-53页 |
| 5.3 器件导电机制及电阻转变机理分析 | 第53-56页 |
| 5.4 小结 | 第56-57页 |
| 第六章 碳氧化硅薄膜的制备及电阻开关特性研究 | 第57-65页 |
| 6.1 器件制备 | 第57-58页 |
| 6.2 器件表征结果 | 第58-61页 |
| 6.3 器件导电行为及电阻转变机理分析 | 第61-63页 |
| 6.4 小结 | 第63-65页 |
| 第七章 全文总结及展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-74页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |