| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第1章 综述 | 第7-24页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第7-9页 |
| 1.2 国内外研究进展 | 第9-15页 |
| 1.2.1 LED封装结构的发展 | 第9-11页 |
| 1.2.2 LED散热基板材料 | 第11-15页 |
| 1.3 AlN陶瓷基板及其金属化方法 | 第15-22页 |
| 1.3.1 AlN陶瓷基板的物理性质 | 第15-17页 |
| 1.3.2 AlN基板金属化方法 | 第17-22页 |
| 1.4 本论文的研究内容及行文安排 | 第22-24页 |
| 第2章 大功率LED氮化铝陶瓷散热基板的制备及性能 | 第24-42页 |
| 2.1 真空蒸镀和磁控溅射技术原理 | 第24-27页 |
| 2.1.1 真空蒸镀 | 第24-25页 |
| 2.1.2 磁控溅射 | 第25-27页 |
| 2.2 大功率LED氮化铝陶瓷散热基板的制备 | 第27-32页 |
| 2.2.1 实验原料及设备 | 第27-30页 |
| 2.2.2 氮化铝陶瓷散热基板的制备过程 | 第30-32页 |
| 2.3 氮化铝陶瓷散热基板表面及断面的微观形貌 | 第32-37页 |
| 2.3.1 氮化铝陶瓷散热基板表面形貌及成分分析 | 第32-35页 |
| 2.3.2 氮化铝陶瓷散热基板断面形貌及成分分析 | 第35-37页 |
| 2.4 氮化铝陶瓷散热基板的物相分析 | 第37-39页 |
| 2.5 氮化铝陶瓷散热基板表面电阻率测试 | 第39-40页 |
| 2.6 本章小结 | 第40-42页 |
| 第3章 大功率LED在不同金属过渡层AlN散热基板上的结温特性 | 第42-54页 |
| 3.1 引言 | 第42页 |
| 3.2 几种常见LED结温测量方法 | 第42-47页 |
| 3.2.1 红外热成像法 | 第43页 |
| 3.2.2 正向电压法 | 第43-45页 |
| 3.2.3 脉冲电流法 | 第45-46页 |
| 3.2.4 蓝白比法 | 第46页 |
| 3.2.5 管脚温度法 | 第46-47页 |
| 3.2.6 光谱法 | 第47页 |
| 3.3 实验内容 | 第47-50页 |
| 3.3.1 结温测试的样品制备 | 第47-49页 |
| 3.3.2 结温测试过程 | 第49-50页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第50-53页 |
| 3.5 结论 | 第53-54页 |
| 第4章 湿法腐蚀制备二次离子质谱(SIMS)测试试样 | 第54-65页 |
| 4.1 引言 | 第54页 |
| 4.2 SIMS的工作原理 | 第54-56页 |
| 4.3 SIMS测试试样的要求 | 第56页 |
| 4.4 湿法腐蚀制备SIMS测试试样 | 第56-63页 |
| 4.4.1 大功率Si基蓝光LED芯片的SIMS测试试样制备 | 第57-61页 |
| 4.4.2 大功率蓝光LED芯片的SIMS测试试样制备 | 第61-63页 |
| 4.5 结论 | 第63-65页 |
| 第5章 总结 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
