| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 引言 | 第15-17页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第17-20页 |
| 1.3 章节安排 | 第20-21页 |
| 第二章 Si-Ge-Sn系统合金材料 | 第21-31页 |
| 2.1 GeSn材料的基本特性 | 第21-24页 |
| 2.2 SiGeSn材料的基本特性 | 第24-27页 |
| 2.3 SiGeSn系统合金材料的制备工艺 | 第27-29页 |
| 2.3.1 GeSn材料的制备工艺 | 第27-28页 |
| 2.3.2 SiGeSn材料的制备工艺 | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 量子阱激光器的工作原理 | 第31-49页 |
| 3.1 半导体激光器 | 第31-34页 |
| 3.1.1 半导体激光器的分类 | 第31页 |
| 3.1.2 半导体激光器的工作原理 | 第31-34页 |
| 3.2 量子阱的物理基础 | 第34-39页 |
| 3.2.1 异质结能带分布类型 | 第34-35页 |
| 3.2.2 量子阱的能带结构 | 第35-36页 |
| 3.2.3 量子阱中的能量状态 | 第36-38页 |
| 3.2.4 量子阱中的态密度分布 | 第38-39页 |
| 3.3 量子阱激光器的工作原理 | 第39-47页 |
| 3.3.1 载流子的注入和复合 | 第39-40页 |
| 3.3.2 量子阱激光器的增益与注入电流 | 第40-41页 |
| 3.3.3 简化的增益模型 | 第41-42页 |
| 3.3.4 峰值增益系数与载流子浓度的关系 | 第42-44页 |
| 3.3.5 多量子阱激光器的标度率 | 第44-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 基于SiGeSn的多量子阱激光器的光增益研究 | 第49-57页 |
| 4.1 基于SiGeSn的量子阱激光器的理论模型 | 第49-50页 |
| 4.2 量子阱激光器的光增益理论基础 | 第50-52页 |
| 4.3 量子阱激光器的光限制因子 | 第52-53页 |
| 4.4 基于SiGeSn的多量子阱激光器的光增益 | 第53-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 GeSn/SiGeSn量子阱激光器的设计和仿真 | 第57-75页 |
| 5.1 Silvaco TCAD软件介绍 | 第57-60页 |
| 5.2 GeSn/SiGeSn量子阱能带结构 | 第60-63页 |
| 5.3 GeSn/SiGeSn多量子阱激光器的结构设计 | 第63-64页 |
| 5.4 GeSn/SiGeSn多量子阱激光器的仿真与分析 | 第64-74页 |
| 5.5 本章小结 | 第74-75页 |
| 第六章 总结与展望 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-85页 |
| 致谢 | 第85-87页 |
| 作者简介 | 第87-88页 |
