摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6页 |
第一章 绪论 | 第7-17页 |
1.1 引言 | 第7页 |
1.2 半导体光催化技术 | 第7-13页 |
1.2.1 光催化与光催化剂 | 第7-8页 |
1.2.2 光催化原理 | 第8-9页 |
1.2.3 光催化的应用 | 第9-11页 |
1.2.4 光催化剂的制备方法 | 第11-12页 |
1.2.5 光催化剂的改性方法 | 第12-13页 |
1.3 钨/钼酸盐光催化剂研究进展 | 第13-15页 |
1.3.1 钨酸盐光催化剂研究进展 | 第13-14页 |
1.3.2 钼酸盐光催化剂研究进展 | 第14-15页 |
1.4 本课题研究意义与研究内容 | 第15-17页 |
第二章 CdMoO_4-graphene光催化材料的制备及其光催化性质 | 第17-29页 |
2.1 引言 | 第17-18页 |
2.2 实验方法 | 第18-19页 |
2.2.1 制备方法 | 第18页 |
2.2.2 表征方法 | 第18-19页 |
2.3 结果与讨论 | 第19-28页 |
2.3.1 CdMoO_4-graphene理化性质表征 | 第19-23页 |
2.3.2 CdMoO_4-graphene光催化性能研究 | 第23-25页 |
2.3.3 光催化机理研究 | 第25-28页 |
2.4 小结 | 第28-29页 |
第三章 ZnWO_4-Bi_2WO_6复合光催化剂的制备及其光催化性质 | 第29-42页 |
3.1 引言 | 第29-30页 |
3.2 实验方法 | 第30-31页 |
3.2.1 制备方法 | 第30页 |
3.2.2 表征方法 | 第30页 |
3.2.3 光催化实验 | 第30-31页 |
3.2.4 活性物种分析 | 第31页 |
3.3 结果与讨论 | 第31-40页 |
3.3.1 ZnWO_4-Bi_2WO_6理化性质表征 | 第31-36页 |
3.3.2 ZnWO_4-Bi_2WO_6光催化性能研究 | 第36-38页 |
3.3.3 ZnWO_4-Bi_2WO_6活性物种分析 | 第38页 |
3.3.4 光催化机理研究 | 第38-40页 |
3.4 小结 | 第40-42页 |
第四章 金属M (M=Bi、Ba)掺杂ZnWO_4样品的制备及其光催化性质 | 第42-63页 |
4.1 引言 | 第42页 |
4.2 实验方法 | 第42-45页 |
4.2.1 制备方法 | 第42-43页 |
4.2.2 表征方法 | 第43页 |
4.2.3 光催化实验 | 第43-45页 |
4.2.4 活性物种分析 | 第45页 |
4.3 结果与讨论 | 第45-61页 |
4.3.1 理化性质表征 | 第45-54页 |
4.3.2 光催化性能研究 | 第54-58页 |
4.3.3 金属M(M=Bi、Ba)掺杂ZnWO_4样品的活性物种分析 | 第58-59页 |
4.3.4 光催化机理研究 | 第59-61页 |
4.4 小结 | 第61-63页 |
第五章 结论与展望 | 第63-65页 |
5.1 结论 | 第63-64页 |
5.2 展望 | 第64-65页 |
参考文献 | 第65-73页 |
作者简介 | 第73-74页 |
致谢 | 第74页 |