| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第11-26页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 WS_2薄膜的基本物理性质 | 第11-13页 |
| 1.3 WS_2薄膜的化学气相沉积法制备 | 第13-18页 |
| 1.3.1 化学气相沉积法的分类 | 第13-14页 |
| 1.3.2 化学气相沉积法制备WS_2薄膜的生长机理 | 第14-16页 |
| 1.3.3 生长条件对WS_2薄膜成膜质量的影响 | 第16-17页 |
| 1.3.4 基底材料对WS_2薄膜成膜质量的影响 | 第17-18页 |
| 1.4 类石墨烯WS_2薄膜在电子器件方面的应用 | 第18-24页 |
| 1.4.1 WS_2薄膜的场效应晶体管 | 第18-20页 |
| 1.4.2 WS_2薄膜的光电器件 | 第20-21页 |
| 1.4.3 基于WS_2薄膜的异质结器件 | 第21-24页 |
| 1.5 选题依据及研究方案 | 第24-26页 |
| 1.5.1 选题依据 | 第24-25页 |
| 1.5.2 本课题的研究内容、待决解的关键问题及创新点 | 第25-26页 |
| 第二章 WS_2原子层薄膜的化学气相沉积法生长及其光电性能 | 第26-46页 |
| 2.1 引言 | 第26页 |
| 2.2 WS_2薄膜的CVD生长 | 第26-30页 |
| 2.2.1 钨箔预处理 | 第26-27页 |
| 2.2.2 WS_2薄膜的CVD生长 | 第27-29页 |
| 2.2.3 钨箔上WS_2薄膜的表征 | 第29-30页 |
| 2.3 WS_2薄膜的鼓泡转移 | 第30-33页 |
| 2.4 WS_2薄膜的表征 | 第33-40页 |
| 2.4.1 WS_2薄膜的表面形貌表征 | 第33-35页 |
| 2.4.2 WS_2薄膜的晶体结构表征 | 第35-36页 |
| 2.4.3 WS_2薄膜的光学特性表征 | 第36-40页 |
| 2.5 基于WS_2原子层薄膜的光电器件研究 | 第40-44页 |
| 2.5.1 WS_2薄膜的二极管电输运特性研究 | 第41-43页 |
| 2.5.2 WS_2薄膜的光电子输运特性研究 | 第43-44页 |
| 2.6 本章小结 | 第44-46页 |
| 第三章 WS_2原子层薄膜的电催化析氢性能 | 第46-63页 |
| 3.1 引言 | 第46页 |
| 3.2 实验原理及方法 | 第46-47页 |
| 3.3 WS_2/W箔的电化学析氢性能研究 | 第47-56页 |
| 3.3.1 不同生长时间下WS_2薄膜的电催化析氢性能 | 第48-52页 |
| 3.3.2 不同生长温度下WS_2薄膜的电催化析氢性能 | 第52-54页 |
| 3.3.3 WS_2/W电极的电催化析氢过程分析 | 第54-56页 |
| 3.4 钨箔氧化-硫化处理后的电催化析氢性能 | 第56-61页 |
| 3.4.1 钨箔的氧化—硫化实验 | 第57页 |
| 3.4.2 氧化—硫化处理的钨箔形貌、成分分析 | 第57-59页 |
| 3.4.3 氧化—硫化处理的钨箔电催化析氢性能分析 | 第59-61页 |
| 3.5 本章小结 | 第61-63页 |
| 第四章硫化钨纳米带结构研究 | 第63-70页 |
| 4.1 引言 | 第63页 |
| 4.2 硫化钨纳米带的制备 | 第63-64页 |
| 4.3 金属基底上多层WSX原子层薄膜表征 | 第64-66页 |
| 4.4 硫化钨纳米带结构表征 | 第66-69页 |
| 4.5 本章小结 | 第69-70页 |
| 第五章结论与展望 | 第70-72页 |
| 5.1 全文总结 | 第70-71页 |
| 5.2 研究展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 攻读硕士学位期间发表（录用）论文情况 | 第80页 |
