| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-29页 |
| 1.1 a-IGZO TFT的研究背景和意义 | 第11-14页 |
| 1.2 a-IGZO薄膜材料特性 | 第14-17页 |
| 1.3 a-IGZO TFT器件特性 | 第17-24页 |
| 1.4 a-IGZO TFT器件模型 | 第24-27页 |
| 1.5 主要研究内容及论文结构 | 第27-28页 |
| 1.6 本章小结 | 第28-29页 |
| 第二章 a-IGZO TFT的陷阱态提取 | 第29-51页 |
| 2.1 a-IGZO TFT有源层态密度及提取方法 | 第29-42页 |
| 2.1.1 类受主态密度的提取 | 第32-40页 |
| 2.1.2 类施主态密度的提取 | 第40-42页 |
| 2.2 基于迁移率公式线性区的态密度提取 | 第42-46页 |
| 2.2.1 线性区的态密度提取 | 第42-45页 |
| 2.2.2 模型参数 | 第45-46页 |
| 2.3 结果和讨论 | 第46-50页 |
| 2.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第三章 a-IGZO TFT在正向栅压应力下稳定性模型 | 第51-77页 |
| 3.1 a-IGZO TFT在PGBS下阈值电压产生偏移的机制 | 第51-60页 |
| 3.1.1 栅绝缘层内陷阱对电子的捕获/释放 | 第52-58页 |
| 3.1.2 新缺陷产生 | 第58-59页 |
| 3.1.3 有源层内陷阱对电子的捕获/释放 | 第59-60页 |
| 3.2 基于捕获/释放的分子动力学模型分析 | 第60-74页 |
| 3.2.1 模型的确定 | 第66-71页 |
| 3.2.2 电子隧穿长度的分析 | 第71-72页 |
| 3.2.3 隧穿电子在栅绝缘层中的分布 | 第72-74页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第74-75页 |
| 3.4 本章小结 | 第75-77页 |
| 第四章 a-IGZO TFT在负向栅压应力下稳定性模型 | 第77-91页 |
| 4.1 a-IGZO TFT在NGBS下阈值电压产生偏移的机制 | 第77-81页 |
| 4.2 a-IGZO TFT在NGBS下的阈值电压偏移模型 | 第81-88页 |
| 4.2.1 阈值电压偏移模型 | 第82-86页 |
| 4.2.2 模型参数 | 第86-88页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第88-90页 |
| 4.4 本章小结 | 第90-91页 |
| 结论 | 第91-93页 |
| 参考文献 | 第93-116页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第116-117页 |
| 致谢 | 第117-118页 |
| 附件 | 第118页 |
