| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 石墨烯材料的发现 | 第9-10页 |
| 1.2 石墨烯的基本结构 | 第10-11页 |
| 1.3 石墨烯的主要性质及应用 | 第11-14页 |
| 1.3.1 石墨烯的主要性质 | 第11-12页 |
| 1.3.2 石墨烯材料的应用 | 第12-14页 |
| 1.4 CVD法制备石墨烯的研究历史及发展现状 | 第14-15页 |
| 1.5 本文的研究目的及研究内容 | 第15-18页 |
| 1.5.1 本文的研究目的及意义 | 第15-16页 |
| 1.5.2 本文的研究内容和论文安排 | 第16-18页 |
| 第二章 石墨烯的主要合成方法和表征手段 | 第18-30页 |
| 2.1 石墨烯主要的合成方法 | 第18-22页 |
| 2.1.1 机械剥离法 | 第18页 |
| 2.1.2 化学剥离法 | 第18-19页 |
| 2.1.3 有机合成法 | 第19页 |
| 2.1.4 外延生长法 | 第19-20页 |
| 2.1.5 化学沉积法 | 第20-21页 |
| 2.1.6 氧化还原法 | 第21页 |
| 2.1.7 其他方法 | 第21-22页 |
| 2.1.8 石墨烯制备方法小结 | 第22页 |
| 2.2 石墨烯的主要表征手段 | 第22-30页 |
| 2.2.1 拉曼光谱 | 第22-24页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 | 第24-25页 |
| 2.2.3 X射线衍射 | 第25页 |
| 2.2.4 透射电子显微镜 | 第25-26页 |
| 2.2.5 原子力显微镜 | 第26-27页 |
| 2.2.6 光学显微镜 | 第27-28页 |
| 2.2.7 X射线光电子能谱分析 | 第28页 |
| 2.2.8 其他表征手段 | 第28-30页 |
| 第三章 CVD生长石墨烯材料的方法研究 | 第30-53页 |
| 3.1 CVD法在铜箔上生长石墨烯的生长机理 | 第30-31页 |
| 3.2 CVD生长石墨烯材料的实验部分 | 第31-40页 |
| 3.2.1 实验材料 | 第31-32页 |
| 3.2.2 实验设备 | 第32-33页 |
| 3.2.3 铜箔的准备及预处理 | 第33-36页 |
| 3.2.4 CVD生长石墨烯的实验过程 | 第36-40页 |
| 3.3 石墨烯材料的表征测试部分 | 第40-42页 |
| 3.3.1 材料结构分析 | 第40页 |
| 3.3.2 材料形貌分析 | 第40-42页 |
| 3.4 混合气体分压比对石墨烯表面形貌及结构的影响 | 第42-46页 |
| 3.4.1 生长参数的设定 | 第42-44页 |
| 3.4.2 结果讨论分析 | 第44-46页 |
| 3.5 生长时间对石墨烯表面形貌和结构的影响 | 第46-48页 |
| 3.5.1 生长参数的设定 | 第46页 |
| 3.5.2 结果讨论分析 | 第46-48页 |
| 3.6 U型折叠放置的铜基片对石墨烯生长的均匀性的影响的实验设计与其动力学机理分析 | 第48-51页 |
| 3.6.1 U型折叠铜基片上石墨烯的生长及转移的实验设计 | 第49-50页 |
| 3.6.2 U型折叠放置的铜基片对石墨烯生长的均匀性的影响的动力学机理分析及实验结果预期 | 第50-51页 |
| 3.7 小结 | 第51-53页 |
| 第四章 CVD石墨烯的转移与处理 | 第53-64页 |
| 4.1 石墨烯的转移过程 | 第53-54页 |
| 4.2 石墨烯转移过程中细节问题对材料与表征的影响 | 第54-55页 |
| 4.3 石墨烯转移前后的表征分析 | 第55-57页 |
| 4.4 转移后石墨烯材料的原子力显微镜表征测试 | 第57-59页 |
| 4.5 转移后退火对石墨烯材料性能的影响 | 第59-63页 |
| 4.5.1 生长参数的设定 | 第59页 |
| 4.5.2 结果讨论分析 | 第59-63页 |
| 4.6 小结 | 第63-64页 |
| 第五章 CVD法生长石墨烯的光电性能研究 | 第64-68页 |
| 5.1 石墨烯的光学性能测试 | 第64-65页 |
| 5.2 石墨烯的电学性能测试 | 第65-66页 |
| 5.3 Graphene-AZO异质结的制备与电学性能测试 | 第66-67页 |
| 5.4 小结 | 第67-68页 |
| 结论与展望 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-76页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
