| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 课题研究背景和研究意义 | 第10-11页 |
| 1.2 课题研究现状和存在的问题 | 第11-14页 |
| 1.3 本文的主要工作及内容安排 | 第14-16页 |
| 第2章 忆阻器的特性及其仿真模型分析 | 第16-53页 |
| 2.1 忆阻器的概念和本质特征 | 第16-29页 |
| 2.1.1 忆阻器概念的提出 | 第16-17页 |
| 2.1.2 HP实验室忆阻器物理模型 | 第17-19页 |
| 2.1.3 忆阻器的三个本质特征 | 第19-29页 |
| 2.2 忆阻器仿真模型的研究现状 | 第29-39页 |
| 2.2.1 二次非线性磁控忆阻器模型 | 第29-33页 |
| 2.2.2 三次非线性磁控忆阻器模型 | 第33-39页 |
| 2.3 一种新的忆阻器模型 | 第39-49页 |
| 2.3.1 一种新的忆阻器模型的数学模型 | 第39-40页 |
| 2.3.2 一种新的忆阻器模型的等效电路 | 第40-44页 |
| 2.3.3 一种新的忆阻器模型的仿真实现 | 第44-47页 |
| 2.3.4 一种新的忆阻器模型的“浮地”二端口电路仿真 | 第47-49页 |
| 2.4 忆阻器模型特征比较 | 第49-52页 |
| 2.4.1 忆阻器模型数学比较 | 第49-50页 |
| 2.4.2 忆阻器模型仿真比较 | 第50-52页 |
| 2.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第3章 基于忆阻器的记忆电路 | 第53-65页 |
| 3.1 记忆电路的基本概念 | 第53-55页 |
| 3.1.1 记忆电路的定义 | 第53-54页 |
| 3.1.2 记忆电路元件的符号 | 第54-55页 |
| 3.2 忆容器 | 第55-56页 |
| 3.3 忆感器 | 第56-57页 |
| 3.4 基于四次非线性忆阻器模型的忆容电路 | 第57-61页 |
| 3.4.1 基于四次非线性忆阻器模型的忆容电路的等效电路 | 第57-60页 |
| 3.4.2 基于四次忆阻器模型的忆容电路的仿真 | 第60-61页 |
| 3.5 基于四次非线性忆阻器模型的忆感电路 | 第61-65页 |
| 3.5.1 基于四次非线性忆阻器模型的忆感电路的等效电路 | 第61-63页 |
| 3.5.2 基于四次非线性忆阻器模型的忆感电路的仿真 | 第63-65页 |
| 第4章 复合忆阻电路 | 第65-72页 |
| 4.1 复合忆阻电路分析 | 第65-66页 |
| 4.2 忆阻器串联等效分析 | 第66-68页 |
| 4.3 忆阻器并联等效分析 | 第68-70页 |
| 4.4 忆阻器混联等效分析 | 第70-72页 |
| 第5章 忆阻器在滤波电路中的应用 | 第72-86页 |
| 5.1 滤波电路 | 第72-75页 |
| 5.1.1 滤波电路简介 | 第72页 |
| 5.1.2 滤波电路分类 | 第72-74页 |
| 5.1.3 滤波电路的基本参数 | 第74-75页 |
| 5.2 新的忆阻器模型应用于高阶滤波电路 | 第75-80页 |
| 5.2.1 四阶巴特沃斯低通滤波电路设计 | 第75-77页 |
| 5.2.2 四阶巴特沃斯高通滤波电路设计 | 第77-78页 |
| 5.2.3 四阶巴特沃斯带通滤波电路设计 | 第78-80页 |
| 5.3 忆阻器仿真模型应用于高阶滤波电路的性能比较 | 第80-85页 |
| 5.3.1 低通滤波电路性能比较 | 第80-81页 |
| 5.3.2 高通滤波电路性能比较 | 第81-83页 |
| 5.3.3 带通滤波电路性能比较 | 第83-85页 |
| 5.4 本章小结 | 第85-86页 |
| 第6章 总结与展望 | 第86-88页 |
| 6.1 工作总结 | 第86-87页 |
| 6.2 展望 | 第87-88页 |
| 致谢 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-92页 |
| 附录 个人简历 | 第92页 |
