| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第14-42页 |
| 1.1 拓扑绝缘体简介 | 第14-30页 |
| 1.1.1 整数量子霍尔效应及陈数 | 第15-23页 |
| 1.1.2 量子自旋霍尔效应及其拓扑指标——Z_2指标或自旋陈数 | 第23-30页 |
| 1.2 绝热量子泵浦的概念及散射理论 | 第30-33页 |
| 1.2.1 绝热量子泵浦 | 第30页 |
| 1.2.2 散射理论 | 第30-33页 |
| 1.3 瓦尼尔函数中心 | 第33-42页 |
| 1.3.1 瓦尼尔中心的定义及其收敛判据 | 第34-36页 |
| 1.3.2 拓扑绝缘体中的瓦尼尔中心 | 第36-42页 |
| 2 一维电子模型中的自旋陈泵浦 | 第42-66页 |
| 2.1 研究背景 | 第42-45页 |
| 2.2 理论模型 | 第45-53页 |
| 2.2.1 模型哈密顿量 | 第45页 |
| 2.2.2 系统模型的能谱结构 | 第45-50页 |
| 2.2.3 系统的低能激发哈密顿量 | 第50-53页 |
| 2.3 系统的自旋极化瓦尼尔函数 | 第53-56页 |
| 2.4 利用散射矩阵理论计算系统的自旋泵浦 | 第56-64页 |
| 2.4.1 一维狄拉克方程中δ势的处理方法 | 第56-58页 |
| 2.4.2 系统的一维散射 | 第58-60页 |
| 2.4.3 电极哈密顿量的本征波函数 | 第60-61页 |
| 2.4.4 散射系数 | 第61-62页 |
| 2.4.5 量子化的自旋泵浦 | 第62-64页 |
| 2.5 实现自旋陈数的实验观察 | 第64-66页 |
| 3 总结与展望 | 第66-70页 |
| 3.1 总结 | 第66-68页 |
| 3.2 展望 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-80页 |
| 简历与科研成果 | 第80-81页 |