| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-36页 |
| 1.1 硅稀/锗烯以及配对物的结构、性质和应用 | 第12-15页 |
| 1.2 磷烯的结构、性质和应用 | 第15-16页 |
| 1.3 过渡金属硫簇化合物MX_2(M=Mo,W；X=S,Se,Te)的结构、性质和应用 | 第16-23页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第23-24页 |
| 1.5 参考文献 | 第24-36页 |
| 第二章 理论方法 | 第36-56页 |
| 2.1 薛定谔方程和两个基本近似 | 第36-39页 |
| 2.1.1 薛定谔(Schrodinger)方程 | 第36-37页 |
| 2.1.2 Born-Oppenheinmer近似 | 第37-38页 |
| 2.1.3 单电子近似 | 第38页 |
| 2.1.4 Hartree-Fock方程 | 第38-39页 |
| 2.2 密度泛函理论(DFT) | 第39-43页 |
| 2.2.1 Thomas-Feimi-Direc模型 | 第39-40页 |
| 2.2.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第40页 |
| 2.2.3 Kohn-Sham方程 | 第40-42页 |
| 2.2.4 交换关联能泛函 | 第42-43页 |
| 2.3 多体微扰理论(MBPT) | 第43-50页 |
| 2.3.1 准粒子 | 第43-44页 |
| 2.3.2 GW近似 | 第44-46页 |
| 2.3.3 Bethe-Salpeter方程和光吸收 | 第46-50页 |
| 2.4 本文涉及的软件包简介 | 第50-51页 |
| 2.4.1 Quantum-ESPRESSO | 第50页 |
| 2.4.2 Yambo软件包 | 第50-51页 |
| 2.5 本文获得体系的电子和光学性质的方法步骤 | 第51-52页 |
| 2.6 参考文献 | 第52-56页 |
| 第三章 拉伸应变对氢化硅烯电子和光学性质的调制 | 第56-66页 |
| 3.1 引言 | 第56-57页 |
| 3.2 计算模型和方法 | 第57-58页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第58-62页 |
| 3.3.1 应变对氢化硅烯电子带结构的影响 | 第59-60页 |
| 3.3.2 应变对氢化硅烯光学性质的影响 | 第60-62页 |
| 3.4 本章小结 | 第62页 |
| 3.5 参考文献 | 第62-66页 |
| 第四章 氢/氟化对锗烯以及厚度对氢化锗烯电子和光学性质的调制 | 第66-86页 |
| 4.1 引言 | 第66-67页 |
| 4.2 计算模型和方法 | 第67-68页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第68-79页 |
| 4.3.1 氢化和氟化锗烯的结构和稳定性 | 第68-70页 |
| 4.3.2 chair氢/氟化锗烯的电子结构和光学性质 | 第70-72页 |
| 4.3.3 Z-line氢/氟化锗烯的电子结构和光学性质 | 第72-75页 |
| 4.3.4 厚度对chair氢化锗烯的电子和光学性质的影响 | 第75-79页 |
| 4.4 本章小结 | 第79-80页 |
| 4.5 参考文献 | 第80-86页 |
| 第五章 堆叠对双层黑磷电子和光学性质的影响与调控 | 第86-98页 |
| 5.1 引言 | 第86-87页 |
| 5.2 计算模型和方法 | 第87页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第87-94页 |
| 5.3.1 堆叠对双层黑鳞电子结构的影响 | 第87-91页 |
| 5.3.2 堆叠对双层黑鳞光吸收和激子分布的影响 | 第91-94页 |
| 5.4 本章小结 | 第94页 |
| 5.5 参考文献 | 第94-98页 |
| 第六章 空位缺陷对二硫化钼光吸收性质的影响和调控 | 第98-110页 |
| 6.1 引言 | 第98-99页 |
| 6.2 计算模型和方法 | 第99页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第99-104页 |
| 6.3.1 硫空位以及硫空位氧钝化的二硫化钼结构性质 | 第100-101页 |
| 6.3.2 硫空位以及硫空位氧钝化的二硫化钼电子结构 | 第101-102页 |
| 6.3.3 硫空位以及硫空位氧钝化的二硫化钼光学性质 | 第102-104页 |
| 6.4 本章小结 | 第104-105页 |
| 6.5 参考文献 | 第105-110页 |
| 第七章 论文总结和展望 | 第110-112页 |
| 致谢 | 第112-114页 |
| 攻读博士期间已发表和待发表论文 | 第114页 |
