| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-29页 |
| 1.1 红外探测器材料概述 | 第12-14页 |
| 1.2 Si(211)衬底材料的发展及研究现状 | 第14-16页 |
| 1.3 InAs材料的发展及研究现状 | 第16-17页 |
| 1.4 CdSe材料的发展及研究现状 | 第17-22页 |
| 1.5 热壁外延制备CdSe薄膜的基本原理 | 第22-24页 |
| 1.6 CdSe薄膜在InAs薄膜表面生长 | 第24-27页 |
| 1.7 本论文的工作及意义 | 第27-29页 |
| 第二章 实验和测试方法 | 第29-39页 |
| 2.1 实验过程 | 第29-34页 |
| 2.1.1 实验材料及仪器 | 第29-30页 |
| 2.1.2 热壁外延制备InAs/Si(211)薄膜及优化工艺 | 第30-33页 |
| 2.1.3 CdSe/InAs/Si(211)薄膜制备工艺 | 第33-34页 |
| 2.2 测试方法 | 第34-39页 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD) | 第34-35页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第35-36页 |
| 2.2.3 原子力显微镜(AFM) | 第36-37页 |
| 2.2.4 霍尔测试(Hall) | 第37页 |
| 2.2.5 傅氏转换红外光谱(FT-IR) | 第37-38页 |
| 2.2.6 紫外可见吸收光谱(UV-Vis) | 第38-39页 |
| 第三章 热壁外延制备InAs/Si(211)薄膜材料 | 第39-48页 |
| 3.1 InAs/Si(211)薄膜的XRD分析 | 第40-41页 |
| 3.2 InAs/Si(211)薄膜的SEM分析 | 第41-44页 |
| 3.3 InAs/Si(211)薄膜的AFM分析 | 第44-46页 |
| 3.4 InAs/Si(211)薄膜的FTIR分析 | 第46页 |
| 3.5 InAs/Si(211)薄膜的Hall分析 | 第46-47页 |
| 3.6 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 不同生长条件对CdSe/InAs/Si(211)薄膜材料的影响 | 第48-67页 |
| 4.1 衬底温度对薄膜生长的影响 | 第48-55页 |
| 4.1.1 CdSe薄膜的XRD分析 | 第49-52页 |
| 4.1.2 CdSe薄膜的SEM分析 | 第52-54页 |
| 4.1.3 CdSe薄膜的AFM分析 | 第54-55页 |
| 4.1.4 CdSe薄膜的FTIR分析 | 第55页 |
| 4.2 蒸发温度对CdSe薄膜生长质量的影响 | 第55-60页 |
| 4.2.1 CdSe薄膜的XRD分析 | 第56-57页 |
| 4.2.2 CdSe薄膜的SEM分析 | 第57-58页 |
| 4.2.3 CdSe薄膜的FTIR分析 | 第58-59页 |
| 4.2.4 CdSe薄膜的Hall分析 | 第59-60页 |
| 4.3 不同的Se/Cd比例对CdSe薄膜质量的影响 | 第60-66页 |
| 4.3.1 CdSe薄膜的XRD分析 | 第60-61页 |
| 4.3.2 CdSe薄膜的SEM分析 | 第61-62页 |
| 4.3.3 不同比例的CdSe薄膜的Hall分析 | 第62-63页 |
| 4.3.4 择优生长的CdSe薄膜的FTIR分析 | 第63-65页 |
| 4.3.5 择优生长的CdSe薄膜的电学性能分析 | 第65-66页 |
| 4.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 结论与展望 | 第67-69页 |
| 5.1 结论 | 第67-68页 |
| 5.2 创新点 | 第68页 |
| 5.3 展望 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-78页 |
| 附录A: 攻读硕士学位期间发表论文目录 | 第78-79页 |
| 附录B: 攻读硕士学位期间参与项目 | 第79-80页 |
| 附录C: 攻读硕士学位期间所获奖励 | 第80页 |
