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基于BiCMOS工艺超宽带可变增益放大器的研究与设计

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
符号对照表第11-12页
缩略语对照表第12-15页
第一章 绪论第15-19页
    1.1 研究背景第15-16页
    1.2 国内外研究现状第16-18页
    1.3 论文的主要工作第18-19页
第二章 可变增益放大器理论基础第19-29页
    2.1 可变增益放大器的分类第19-20页
    2.2 可变增益放大器的性能指标第20-24页
        2.2.1 增益动态范围第20页
        2.2.2 工作频段与带宽第20页
        2.2.3 dB线性控制特性第20-21页
        2.2.4 线性度第21-22页
        2.2.5 附加相移第22-23页
        2.2.6 输入输出匹配第23-24页
    2.3 AGC环路稳定时间第24-28页
    2.4 小结第28-29页
第三章 可变增益放大器关键性能优化技术研究第29-41页
    3.1 dB线性特性实现机理第29-34页
        3.1.1 CMOS工艺第29-31页
        3.1.2 SiGeBiCMOS工艺第31-34页
    3.2 线性度提升技术第34-36页
    3.3 附加相移降低方法第36-39页
    3.4 小结第39-41页
第四章 超宽带可变增益放大器电路设计第41-61页
    4.1 传统电流舵结构分析第41-45页
    4.2 射频前端超宽带可变增益放大器设计第45-57页
        4.2.1 控制电压产生电路设计第46-49页
        4.2.2 发射极负反馈电容引入第49-53页
        4.2.3 输入输出匹配电路设计第53-55页
        4.2.4 数模转换电路设计第55-57页
    4.3 面向基带可变增益放大器设计第57-60页
    4.4 小结第60-61页
第五章 射频前端可变增益放大器仿真与测试第61-69页
    5.1 版图设计第61-63页
    5.2 后仿结果与分析第63-65页
    5.3 测试结果与分析第65-68页
        5.3.1 测试第65-66页
        5.3.2 测试结果分析第66-68页
    5.4 小结第68-69页
第六章 总结与展望第69-71页
参考文献第71-77页
致谢第77-79页
作者简介第79-80页

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