| 中文摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 综述 | 第9-31页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 GdN的研究进展 | 第10-22页 |
| 1.2.1 GdN基态的电子结构 | 第10-12页 |
| 1.2.2 应力对GdN电子结构的影响 | 第12-15页 |
| 1.2.3 GdN磁性质的研究进展 | 第15-22页 |
| 1.3 ZnO的研究进展 | 第22-24页 |
| 1.3.1 ZnO基态的电子结构 | 第22-23页 |
| 1.3.2 稀土掺杂ZnO的研究进展 | 第23-24页 |
| 1.4 单层MoS_2的研究进展 | 第24-29页 |
| 1.4.1 单层MoS_2基态的电子结构 | 第24-25页 |
| 1.4.2 应力对单层MoS_2电子结构的影响 | 第25-26页 |
| 1.4.3 掺杂单层MoS_2的研究进展 | 第26-28页 |
| 1.4.4 金属与单层MoS_2界面的研究进展 | 第28-29页 |
| 1.5 本论文工作 | 第29-31页 |
| 第二章 计算理论基础 | 第31-42页 |
| 2.1 波恩-奥本海默(BO)近似 | 第31-32页 |
| 2.2 单电子近似 | 第32-33页 |
| 2.3 平均场近似与Hatree-Fock自洽场 | 第33-35页 |
| 2.4 密度泛函理论基础 | 第35-38页 |
| 2.4.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第35-36页 |
| 2.4.2 Kohn-Sham方程：有效单体理论 | 第36-37页 |
| 2.4.3 交换关联能泛函 | 第37-38页 |
| 2.5 计算程序VASP简介 | 第38-42页 |
| 2.5.1 VASP的主要功能和特点 | 第38-39页 |
| 2.5.2 赝势 | 第39-40页 |
| 2.5.3 VASP的工作流程 | 第40页 |
| 2.5.4 VASP的主要输入、输出文件 | 第40-42页 |
| 第三章 GdN_(1-x)M_x和Zn_(1-x)RE_xO的电子结构和磁性 | 第42-63页 |
| 3.1 不同浓度阴离子掺杂GdN的电子结构和磁性 | 第42-53页 |
| 3.1.1 计算模型和方法 | 第42-43页 |
| 3.1.2 GdN的电子结构 | 第43-45页 |
| 3.1.3 电子掺杂对GdN电子结构的影响 | 第45-49页 |
| 3.1.4 空穴掺杂对GdN电子结构的影响 | 第49-51页 |
| 3.1.5 同主族元素P和As掺杂对GdN电子结构的影响 | 第51-53页 |
| 3.2 稀土金属掺ZnO的电子结构 | 第53-61页 |
| 3.2.1 计算模型和方法 | 第53-55页 |
| 3.2.2 ZnO的电子结构 | 第55页 |
| 3.2.3 RE掺杂ZnO的电子结构和磁性 | 第55-61页 |
| 3.3 本章小结 | 第61-63页 |
| 第四章 Gd/MoS_2复合结构的电子结构和磁性 | 第63-82页 |
| 4.1 Gd掺单层MoS_2的电子结构 | 第63-71页 |
| 4.1.1 计算模型和方法 | 第64-65页 |
| 4.1.2 单个Gd掺杂单层MoS_2的电子结构和磁性 | 第65-68页 |
| 4.1.3 Gd掺杂单层MoS_2的磁性 | 第68-71页 |
| 4.2 Gd/MoS_2界面的电子结构和磁性 | 第71-80页 |
| 4.2.1 计算模型和方法 | 第72页 |
| 4.2.2 Gd和单层MoS_2的电子结构 | 第72-73页 |
| 4.2.3 Gd/MoS_2界面对单层MoS_2的影响 | 第73-78页 |
| 4.2.4 Gd/MoS_2界面对Gd的影响 | 第78-80页 |
| 4.3 本章小结 | 第80-82页 |
| 第五章 总结 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-93页 |
| 攻读硕士学位期间完成的学术论文 | 第93-94页 |
| 致谢 | 第94-95页 |
