Si及Si/ZnO纳米线阵列的制备与光学性能的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-30页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·硅纳米线的制备方法 | 第11-19页 |
| ·自下而上的生长方法(Bottom Up) | 第12-17页 |
| ·自上而下的生长方法(Top-Down) | 第17-19页 |
| ·硅纳米线的应用 | 第19-25页 |
| ·纳米电子学方面 | 第19-21页 |
| ·光伏应用方面 | 第21-24页 |
| ·纳米探测器 | 第24-25页 |
| ·多孔硅(PS) | 第25-27页 |
| ·表面等离子体 | 第27-28页 |
| ·ZnO纳米材料光致发光性能 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第二章 实验原理与实验过程 | 第30-37页 |
| ·实验研究概述 | 第30页 |
| ·实验试剂与设备 | 第30-31页 |
| ·实验试剂 | 第30-31页 |
| ·实验反应设备 | 第31页 |
| ·分析测试设备 | 第31页 |
| ·实验过程 | 第31-33页 |
| ·硅纳米线阵列的制备 | 第31-33页 |
| ·金纳米颗粒的制备 | 第33页 |
| ·材料表征手段 | 第33-37页 |
| ·低温变温全波段荧光光谱仪 | 第33-34页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第34-35页 |
| ·透射电子显微镜 | 第35页 |
| ·紫外-可见分光光度计 | 第35-37页 |
| 第三章 硅纳米线阵列的制备 | 第37-53页 |
| ·金属辅助化学腐蚀方法的原理 | 第37-41页 |
| ·第一步反应中不同反应时间及衬底对其表面的影响 | 第41-44页 |
| ·同一型号衬底不同反应时间对刻蚀的影响 | 第41-44页 |
| ·不同衬底相同反应时间对刻蚀的影响 | 第44页 |
| ·第二步反应中不同反应条件对其形貌的影响 | 第44-52页 |
| ·同种衬底不同反应条件对其形貌的影响 | 第44-51页 |
| ·不同衬底相同反应条件对其形貌的影响 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 硅纳米线阵列的光学性能 | 第53-63页 |
| ·不同衬底对于硅纳米线阵列的光学性能的影响 | 第53-57页 |
| ·硅纳米线发光机理的研究 | 第57-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 多孔硅纳米线表面等离子增强发光 | 第63-70页 |
| ·金纳米颗粒的制备以及表征 | 第63-66页 |
| ·金纳米颗粒的制备 | 第63页 |
| ·金纳米颗粒的表征 | 第63-66页 |
| ·利用局域等离子共振增强硅纳米线的发光 | 第66-69页 |
| ·实验过程 | 第66-67页 |
| ·实验结果及讨论 | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 Si/ZnO核壳结构纳米线阵列 | 第70-80页 |
| ·ZnO纳米结构材料的制备 | 第70-72页 |
| ·水热法生长ZnO纳米结构材料 | 第70-71页 |
| ·气相沉积法制备ZnO纳米结构材料 | 第71-72页 |
| ·ALD法包覆Al_2O_3 | 第72页 |
| ·ZnO纳米结构材料的光致发光特性的研究 | 第72-77页 |
| ·Si/ZnO核壳结构纳米线阵列的制备 | 第77-80页 |
| 第七章 结论 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-96页 |
| 致谢 | 第96-98页 |
| 个人简历 | 第98-100页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第100页 |
