| 中文摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第18-29页 |
| 1.1 课题研究的目的和意义 | 第18-19页 |
| 1.2 光学频率变换中的热光耦合国内外现状 | 第19-23页 |
| 1.2.1 腔内激光晶体中的热效应 | 第20-21页 |
| 1.2.2 腔外非线性晶体中的热效应 | 第21-23页 |
| 1.3 非线性晶体中CO_2激光倍频应用 | 第23-24页 |
| 1.4 几种典型红外非线性晶体简要概述 | 第24-26页 |
| 1.4.1 GaSe晶体基本特性概述 | 第25页 |
| 1.4.2 ZnGeP_2晶体基本特性概述 | 第25页 |
| 1.4.3 AgGaSe_2晶体基本特性概述 | 第25-26页 |
| 1.5 本文的研究意义和主要内容 | 第26-29页 |
| 1.5.1 本文的研究意义 | 第26页 |
| 1.5.2 本文的主要内容 | 第26-29页 |
| 第2章 光学频率变换理论及温度场方程 | 第29-68页 |
| 2.1 引言 | 第29-30页 |
| 2.2 非线性介质中光波传播的波动方程 | 第30-33页 |
| 2.3 耦合波方程的平面波理论 | 第33-47页 |
| 2.3.1 三波耦合波方程 | 第33-38页 |
| 2.3.2 倍频的小信号分析 | 第38-39页 |
| 2.3.3 倍频的大信号分析 | 第39-43页 |
| 2.3.4 相位匹配技术 | 第43-47页 |
| 2.4 高斯光束倍频理论 | 第47-54页 |
| 2.4.1 一般光束的耦合波方程 | 第47-49页 |
| 2.4.2 高斯光束倍频的小信号分析 | 第49-53页 |
| 2.4.3 高斯光束倍频的一般特性 | 第53-54页 |
| 2.5 热传导方程 | 第54-62页 |
| 2.5.1 热传导方程的一般形式 | 第57-58页 |
| 2.5.2 热传导边界条件 | 第58-60页 |
| 2.5.3 热传导方程的解析方法 | 第60-62页 |
| 2.6 热传导方程的数值方法 | 第62-67页 |
| 2.6.1 有限差分方法 | 第63-65页 |
| 2.6.2 有限容积方法 | 第65-66页 |
| 2.6.3 有限元方法 | 第66-67页 |
| 2.7 本章小结 | 第67-68页 |
| 第3章 晶体倍频的热光耦合模型 | 第68-84页 |
| 3.1 引言 | 第68页 |
| 3.2 光场与温度场耦合偏微分方程 | 第68-76页 |
| 3.2.1 耦合波方程的建立 | 第68-74页 |
| 3.2.2 温度场方程的建立 | 第74-76页 |
| 3.3 热光耦合方程的半解析结果 | 第76-83页 |
| 3.3.1 傅里叶变换法求解耦合方程 | 第76-79页 |
| 3.3.2 傅里叶变换法求解温度场方程 | 第79-83页 |
| 3.4 本章小结 | 第83-84页 |
| 第4章 GaSe晶体倍频中的热光耦合特性研究 | 第84-98页 |
| 4.1 引言 | 第84页 |
| 4.2 GaSe晶体光学特性 | 第84-86页 |
| 4.3 GaSe晶体热光耦合模型的建立 | 第86-88页 |
| 4.4 GaSe晶体基本参数的选定 | 第88-89页 |
| 4.5 GaSe晶体倍频中的数值模拟 | 第89-97页 |
| 4.6 本章小结 | 第97-98页 |
| 第5章 ZnGeP_2晶体倍频中的热光耦合特性研究 | 第98-109页 |
| 5.1 引言 | 第98页 |
| 5.2 ZnGeP_2晶体光学特性 | 第98-99页 |
| 5.3 ZnGeP_2晶体热光耦合模型的建立 | 第99-100页 |
| 5.4 ZnGeP_2晶体基本参数的选定 | 第100-101页 |
| 5.5 ZnGeP_2晶体倍频中的数值模拟 | 第101-108页 |
| 5.6 本章小结 | 第108-109页 |
| 第6章 AgGaSe_2晶体倍频中的热光耦合特性研究 | 第109-124页 |
| 6.1 引言 | 第109页 |
| 6.2 AgGaSe_2晶体光学特性 | 第109-111页 |
| 6.3 AgGaSe_2晶体基本参数的选定 | 第111页 |
| 6.4 AgGaSe_2晶体倍频中的数值模拟 | 第111-121页 |
| 6.5 三种红外晶体倍频的比较分析 | 第121-122页 |
| 6.6 本章小结 | 第122-124页 |
| 结论 | 第124-128页 |
| 参考文献 | 第128-139页 |
| 致谢 | 第139-140页 |
| 攻读学位期间发表论文 | 第140页 |