| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-10页 |
| §1.1 研究背景及意义 | 第8页 |
| §1.2 国内外的研究现状 | 第8-9页 |
| §1.3 本论文的主要工作 | 第9-10页 |
| 第2章 理论基础 | 第10-19页 |
| §2.1 电离辐射与物质相互作用的特点 | 第10页 |
| §2.2 γ射线与物质相互作用 | 第10-17页 |
| ·光电效应 | 第10-13页 |
| ·康普顿-吴有训散射效应 | 第13-16页 |
| ·形成电子对效应 | 第16-17页 |
| §2.3 γ射线的探测 | 第17-19页 |
| ·γ射线的探测原理 | 第17-18页 |
| ·NaI(Tl)谱仪所测的γ能谱 | 第18-19页 |
| 第3章 MCNP程序介绍 | 第19-27页 |
| §3.1 蒙特卡罗方法 | 第19-23页 |
| ·蒙特卡罗方法原理及特点 | 第19-20页 |
| ·蒙特卡罗方法解题的一般过程 | 第20-21页 |
| ·蒙特卡罗方法的收敛性及误差 | 第21-23页 |
| §3.2 MCNP程序 | 第23-26页 |
| ·MCNP程序的起源及其发展 | 第23-24页 |
| ·MCNP程序应用范围 | 第24-25页 |
| ·MCNP程序设置信息 | 第25-26页 |
| §3.3 MCNP程序与本论文相关的应用 | 第26-27页 |
| 第4章 利用MCNP5程序对γ射线散射谱的影响因素的模拟 | 第27-48页 |
| §4.1 模拟步骤及处理方法 | 第27-29页 |
| §4.2 散射体厚度对反散射谱的影响 | 第29-36页 |
| §4.3 饱和厚度及其与原子序数之间的关系 | 第36-41页 |
| §4.4 源距对反散射峰面积的影响 | 第41-44页 |
| §4.5 几何位置对反散射峰面积的影响 | 第44-47页 |
| §4.6 本章小结 | 第47-48页 |
| 第5章 实验方法及装置描述 | 第48-54页 |
| §5.1 实验方法 | 第48-50页 |
| ·实验装置 | 第48-49页 |
| ·实验参数 | 第49-50页 |
| ·实验步骤 | 第50页 |
| §5.2 结果与讨论 | 第50-53页 |
| §5.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 第6章 结论及展望 | 第54-56页 |
| §6.1 主要结论 | 第54-55页 |
| §6.2 论文进一步展望 | 第55-56页 |
| 参考 文献 | 第56-58页 |
| 附录 1 MCNP5输入文件结构及模拟程序 | 第58-61页 |
| 在读期间发表论文 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |