摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-12页 |
第一章 绪论 | 第12-36页 |
·引言 | 第12-14页 |
·半导体光催化技术 | 第14-20页 |
·半导体光催化的基本原理 | 第14-17页 |
·影响光催化性能的主要因素 | 第17-20页 |
·TiO_2基光催化剂研究进展 | 第20-25页 |
·掺杂TiO_2光催化剂 | 第20-23页 |
·复合TiO_2光催化剂 | 第23-25页 |
·新型铋基化合物光催化剂研究进展 | 第25-28页 |
·铋基的多组分氧化物 | 第26-28页 |
·卤氧化铋 | 第28页 |
·本论文选题意义和主要内容 | 第28-31页 |
参考文献 | 第31-36页 |
第二章 光催化技术的研究方法和手段 | 第36-48页 |
·密度泛函理论计算与模拟 | 第36-41页 |
·多电子系统的薛定谔方程 | 第36-37页 |
·密度泛函理论(DFT) | 第37-39页 |
·局域密度近似(LDA) | 第39-40页 |
·广义梯度近似(GGA) | 第40页 |
·轨道泛函LDA(GGA)+U | 第40页 |
·所用计算软件 | 第40-41页 |
·光催化样品的实验制备和表征 | 第41-46页 |
·样品制备 | 第41页 |
·结构表征 | 第41-43页 |
·形貌表征 | 第43页 |
·光学性质表征 | 第43页 |
·表面、界面结构表征 | 第43-44页 |
·光电化学分析 | 第44-46页 |
参考文献 | 第46-48页 |
第三章 V掺杂TiO_2中氧空位和V协同增强光催化氧化丙烯的反应机制 | 第48-74页 |
·前言 | 第48-50页 |
·实验方法和计算细节 | 第50-53页 |
·纳米管钛酸(H_2Ti_2O_4(OH)_2,NTA)的制备 | 第50页 |
·V掺杂TiO_2(V-TiO_2-NTA,V-TiO_2[NTA])的制备 | 第50页 |
·晶体结构表征 | 第50-51页 |
·计算细节 | 第51-52页 |
·光催化活性的评价 | 第52-53页 |
·结果与讨论 | 第53-69页 |
·形成能 | 第53-54页 |
·光催化活性的对比测试 | 第54-55页 |
·催化剂的x射线衍射(XRD)和拉曼(Raman)谱 | 第55-57页 |
·紫外-可见光漫反射谱(UV-vis DRS) | 第57-59页 |
·BET表面积和介孔分布 | 第59-60页 |
·催化剂的形貌 | 第60-62页 |
·X射线光电子(XPS)能谱 | 第62-63页 |
·电子自旋共振(ESR)谱 | 第63-65页 |
·电子态密度 | 第65-66页 |
·光催化活性及其机理 | 第66-69页 |
·本章小结 | 第69-70页 |
参考文献 | 第70-74页 |
第四章 Zn替位Bi_2WO_6中Bi增强光催化活性的第一性原理研究 | 第74-94页 |
·前言 | 第74-75页 |
·计算方法 | 第75-77页 |
·结果与讨论 | 第77-88页 |
·几何结构 | 第77-78页 |
·电子结构 | 第78-85页 |
·增强的光催化反应率 | 第85-86页 |
·带边位置 | 第86-88页 |
·本章小结 | 第88-89页 |
参考文献 | 第89-94页 |
第五章 第一性原理研究graphene/Bi_2WO_6复合异质结增强的光催化性能 | 第94-112页 |
·前言 | 第94-95页 |
·计算细节 | 第95-96页 |
·结果和讨论 | 第96-107页 |
·表面能和界面模型 | 第96-101页 |
·界面电荷转移 | 第101-103页 |
·电子结构 | 第103-104页 |
·光学特性 | 第104-105页 |
·光催化机制 | 第105-107页 |
·小结 | 第107-108页 |
参考文献 | 第108-112页 |
第六章 总结与展望 | 第112-116页 |
·总结 | 第112-114页 |
·展望 | 第114-116页 |
博士期间发表学术论文和参加的科研活动等情况 | 第116-118页 |
致谢 | 第118-119页 |