| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-41页 |
| ·引言 | 第16-18页 |
| ·相变存储器原理 | 第18-20页 |
| ·相变存储器的存储介质 | 第20-35页 |
| ·相变存储对存储介质的性能要求 | 第20-21页 |
| ·相变存储材料 | 第21-35页 |
| ·相变存储器的研究进展 | 第35-37页 |
| ·相变存储器存在的主要问题 | 第37-38页 |
| ·本文研究意义及研究内容 | 第38-41页 |
| ·研究意义 | 第38-39页 |
| ·研究内容 | 第39-41页 |
| 第二章 样品制备与测试方法 | 第41-47页 |
| ·实验原料及仪器 | 第41-42页 |
| ·薄膜材料制备流程 | 第42-43页 |
| ·薄膜性能测试 | 第43-47页 |
| 第三章 Ge2Sb2Te5相变材料掺杂改性研究 | 第47-61页 |
| ·引言 | 第47-48页 |
| ·实验简介 | 第48-49页 |
| ·Zn 掺杂对 Ge2Sb2Te5薄膜性能的影响 | 第49-60页 |
| ·XRD 分析 | 第49-51页 |
| ·非晶态和晶态电学性能 | 第51-53页 |
| ·非晶态热稳定性 | 第53-54页 |
| ·霍尔测试 | 第54-55页 |
| ·光学带隙 | 第55-56页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第56-57页 |
| ·XPS 光电子能谱分析 | 第57-58页 |
| ·光学常数 | 第58-59页 |
| ·反射对比度 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第四章 二元无碲 Zn-Sb 相变材料及性能研究 | 第61-71页 |
| ·引言 | 第61页 |
| ·实验简介 | 第61-62页 |
| ·Zn-Sb 薄膜性能的分析 | 第62-70页 |
| ·非晶态和晶态的电学特性 | 第62-63页 |
| ·DSC 测试分析 | 第63-64页 |
| ·十年数据保持力 | 第64-65页 |
| ·结构分析 | 第65-67页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第67-69页 |
| ·TEM 结构分析 | 第69-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 新型 Zn-Sb-Te 相变材料制备及性能研究 | 第71-119页 |
| ·引言 | 第71页 |
| ·Zn-Sb2Te3薄膜结晶特性及热稳定性研究 | 第71-87页 |
| ·实验简介 | 第71-72页 |
| ·原位电阻-温度测试 | 第72-73页 |
| ·电导率与电导激活能 | 第73-74页 |
| ·薄膜光学特性 | 第74-75页 |
| ·XRD 和 Raman 分析 | 第75-77页 |
| ·XPS 分析 | 第77-78页 |
| ·微结构分析 | 第78-82页 |
| ·等温条件下结晶行为及数据保持力 | 第82-84页 |
| ·结晶动力学 | 第84-86页 |
| ·皮秒激光诱导下可逆相变过程 | 第86-87页 |
| ·Zn-Sb2Te 薄膜热稳定性提高和电学行为研究 | 第87-94页 |
| ·实验简介 | 第87页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第87-89页 |
| ·热学和电学特性研究 | 第89-91页 |
| ·拉曼光谱和 XPS 分析 | 第91-93页 |
| ·TEM 分析 | 第93-94页 |
| ·Zn-Sb3Te 薄膜的物理特征及相变性质研究 | 第94-100页 |
| ·实验简介 | 第94-95页 |
| ·电阻与温度变化关系 | 第95-96页 |
| ·X 射线衍射结构分析 | 第96-98页 |
| ·拉曼光谱和光学带隙分析 | 第98-99页 |
| ·结晶行为过程分析 | 第99-100页 |
| ·Zn-Sb4Te 薄膜结构与相变特性研究 | 第100-105页 |
| ·实验简介 | 第100-101页 |
| ·热稳定性和数据保持力 | 第101-102页 |
| ·薄膜的 XRD 结构分析 | 第102-104页 |
| ·微观结构研究 | 第104-105页 |
| ·Zn-Sb7Te3薄膜制备及光致相变特性研究 | 第105-116页 |
| ·实验简介 | 第105-106页 |
| ·热学和电学性能 | 第106-108页 |
| ·XRD 衍射分析 | 第108-110页 |
| ·拉曼光谱和光学带隙分析 | 第110-112页 |
| ·纳米脉冲激光诱导相变过程 | 第112-116页 |
| ·本章小结 | 第116-119页 |
| 第六章 富 Sb 的 Zn-Sb-Te 相变材料性能研究 | 第119-134页 |
| ·引言 | 第119页 |
| ·ZnSb-Sb2Te3相变材料 | 第119-127页 |
| ·实验简介 | 第119-120页 |
| ·非晶态和晶态的电学性能 | 第120-121页 |
| ·等温 R-t 曲线分析 | 第121-124页 |
| ·结晶前后结构变化分析 | 第124-125页 |
| ·光学带隙分析及光致相变过程 | 第125-127页 |
| ·ZnSb-Sb2Te 相变材料 | 第127-132页 |
| ·实验简介 | 第127页 |
| ·XRD 分析 | 第127-129页 |
| ·R-T 测试分析 | 第129-130页 |
| ·数据保持力和带隙分析 | 第130-131页 |
| ·激光诱导下快速相变性能 | 第131-132页 |
| ·本章小结 | 第132-134页 |
| 第七章 纳米复合 ZnO-Sb2Te3相变材料制备及性能研究 | 第134-149页 |
| ·引言 | 第134-135页 |
| ·实验简介 | 第135页 |
| ·ZnO 对 Sb2Te3性能的影响 | 第135-147页 |
| ·ZnO 掺杂对 Sb2Te3薄膜电阻的影响 | 第135-136页 |
| ·ZnO 掺杂对 Sb2Te3薄膜结构和晶粒大小的影响 | 第136-138页 |
| ·ZnO 掺杂对 Sb2Te3薄膜带隙的影响 | 第138-139页 |
| ·ZnO 掺杂对 Sb2Te3薄膜拉曼光谱分析 | 第139-141页 |
| ·ZnO 掺杂对 Sb2Te3薄膜周围键合的影响 | 第141-142页 |
| ·ZnO 掺杂对 Sb2Te3薄膜显微结构的影响 | 第142-145页 |
| ·ZnO 掺杂对 Sb2Te3表面粗糙度的影响 | 第145-146页 |
| ·纳米脉冲激光诱导下相变特征 | 第146-147页 |
| ·本章小结 | 第147-149页 |
| 第八章 结论与展望 | 第149-154页 |
| ·结论 | 第149-152页 |
| ·展望 | 第152-154页 |
| 参考文献 | 第154-168页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第168-170页 |
