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新型Sb-Te基薄膜制备与相变性能研究

致谢第1-6页
摘要第6-8页
ABSTRACT第8-16页
第一章 绪论第16-41页
   ·引言第16-18页
   ·相变存储器原理第18-20页
   ·相变存储器的存储介质第20-35页
     ·相变存储对存储介质的性能要求第20-21页
     ·相变存储材料第21-35页
   ·相变存储器的研究进展第35-37页
   ·相变存储器存在的主要问题第37-38页
   ·本文研究意义及研究内容第38-41页
     ·研究意义第38-39页
     ·研究内容第39-41页
第二章 样品制备与测试方法第41-47页
   ·实验原料及仪器第41-42页
   ·薄膜材料制备流程第42-43页
   ·薄膜性能测试第43-47页
第三章 Ge2Sb2Te5相变材料掺杂改性研究第47-61页
   ·引言第47-48页
   ·实验简介第48-49页
   ·Zn 掺杂对 Ge2Sb2Te5薄膜性能的影响第49-60页
     ·XRD 分析第49-51页
     ·非晶态和晶态电学性能第51-53页
     ·非晶态热稳定性第53-54页
     ·霍尔测试第54-55页
     ·光学带隙第55-56页
     ·拉曼光谱分析第56-57页
     ·XPS 光电子能谱分析第57-58页
     ·光学常数第58-59页
     ·反射对比度第59-60页
   ·本章小结第60-61页
第四章 二元无碲 Zn-Sb 相变材料及性能研究第61-71页
   ·引言第61页
   ·实验简介第61-62页
   ·Zn-Sb 薄膜性能的分析第62-70页
     ·非晶态和晶态的电学特性第62-63页
     ·DSC 测试分析第63-64页
     ·十年数据保持力第64-65页
     ·结构分析第65-67页
     ·拉曼光谱分析第67-69页
     ·TEM 结构分析第69-70页
   ·本章小结第70-71页
第五章 新型 Zn-Sb-Te 相变材料制备及性能研究第71-119页
   ·引言第71页
   ·Zn-Sb2Te3薄膜结晶特性及热稳定性研究第71-87页
     ·实验简介第71-72页
     ·原位电阻-温度测试第72-73页
     ·电导率与电导激活能第73-74页
     ·薄膜光学特性第74-75页
     ·XRD 和 Raman 分析第75-77页
     ·XPS 分析第77-78页
     ·微结构分析第78-82页
     ·等温条件下结晶行为及数据保持力第82-84页
     ·结晶动力学第84-86页
     ·皮秒激光诱导下可逆相变过程第86-87页
   ·Zn-Sb2Te 薄膜热稳定性提高和电学行为研究第87-94页
     ·实验简介第87页
     ·X 射线衍射分析第87-89页
     ·热学和电学特性研究第89-91页
     ·拉曼光谱和 XPS 分析第91-93页
     ·TEM 分析第93-94页
   ·Zn-Sb3Te 薄膜的物理特征及相变性质研究第94-100页
     ·实验简介第94-95页
     ·电阻与温度变化关系第95-96页
     ·X 射线衍射结构分析第96-98页
     ·拉曼光谱和光学带隙分析第98-99页
     ·结晶行为过程分析第99-100页
   ·Zn-Sb4Te 薄膜结构与相变特性研究第100-105页
     ·实验简介第100-101页
     ·热稳定性和数据保持力第101-102页
     ·薄膜的 XRD 结构分析第102-104页
     ·微观结构研究第104-105页
   ·Zn-Sb7Te3薄膜制备及光致相变特性研究第105-116页
     ·实验简介第105-106页
     ·热学和电学性能第106-108页
     ·XRD 衍射分析第108-110页
     ·拉曼光谱和光学带隙分析第110-112页
     ·纳米脉冲激光诱导相变过程第112-116页
   ·本章小结第116-119页
第六章 富 Sb 的 Zn-Sb-Te 相变材料性能研究第119-134页
   ·引言第119页
   ·ZnSb-Sb2Te3相变材料第119-127页
     ·实验简介第119-120页
     ·非晶态和晶态的电学性能第120-121页
     ·等温 R-t 曲线分析第121-124页
     ·结晶前后结构变化分析第124-125页
     ·光学带隙分析及光致相变过程第125-127页
   ·ZnSb-Sb2Te 相变材料第127-132页
     ·实验简介第127页
     ·XRD 分析第127-129页
     ·R-T 测试分析第129-130页
     ·数据保持力和带隙分析第130-131页
     ·激光诱导下快速相变性能第131-132页
   ·本章小结第132-134页
第七章 纳米复合 ZnO-Sb2Te3相变材料制备及性能研究第134-149页
   ·引言第134-135页
   ·实验简介第135页
   ·ZnO 对 Sb2Te3性能的影响第135-147页
     ·ZnO 掺杂对 Sb2Te3薄膜电阻的影响第135-136页
     ·ZnO 掺杂对 Sb2Te3薄膜结构和晶粒大小的影响第136-138页
     ·ZnO 掺杂对 Sb2Te3薄膜带隙的影响第138-139页
     ·ZnO 掺杂对 Sb2Te3薄膜拉曼光谱分析第139-141页
     ·ZnO 掺杂对 Sb2Te3薄膜周围键合的影响第141-142页
     ·ZnO 掺杂对 Sb2Te3薄膜显微结构的影响第142-145页
     ·ZnO 掺杂对 Sb2Te3表面粗糙度的影响第145-146页
     ·纳米脉冲激光诱导下相变特征第146-147页
   ·本章小结第147-149页
第八章 结论与展望第149-154页
   ·结论第149-152页
   ·展望第152-154页
参考文献第154-168页
作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果第168-170页

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