| 致谢 | 第1-7页 |
| 摘要 | 第7-8页 |
| Abstract | 第8-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-38页 |
| ·前言 | 第13-14页 |
| ·纳米通道中的传质 | 第14-23页 |
| ·双电层简介 | 第14-20页 |
| ·Gouy-Chapman-Stem模型 | 第14-16页 |
| ·Gouy-Chapman理论 | 第16-20页 |
| ·纳米通道中的双电层 | 第20-21页 |
| ·纳米通道中离子的运输-选择渗透性 | 第21-23页 |
| ·纳米通道中电中性分子的运输行为 | 第23页 |
| ·介孔二氧化硅材料简介 | 第23-25页 |
| ·介孔二氧化硅修饰电极 | 第25-32页 |
| ·微粒的合成 | 第25-26页 |
| ·基于微粒的修饰电极 | 第26-27页 |
| ·基于均一薄膜的修饰电极 | 第27-32页 |
| ·平行于基底的孔道 | 第27-28页 |
| ·垂直于基底的孔道 | 第28-31页 |
| ·薄膜修饰电极的电化学表征 | 第31-32页 |
| ·介孔二氧化硅的修饰 | 第32-34页 |
| ·介孔二氧化硅在固定酶中的应用 | 第34-36页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第36-38页 |
| 第二章 介孔二氧化硅薄膜(MSF)的选择渗透性 | 第38-81页 |
| ·引言 | 第38-41页 |
| ·实验部分 | 第41-43页 |
| ·试剂与材料 | 第41-42页 |
| ·仪器与设备 | 第42页 |
| ·实验步骤 | 第42-43页 |
| ·MSF的合成及修饰 | 第42-43页 |
| ·选择渗透性 | 第43页 |
| ·离子强度对选择渗透性的影响 | 第43页 |
| ·结果和讨论 | 第43-79页 |
| ·MSF/ITO电极的选择渗透性 | 第44-51页 |
| ·K_3Fe(CN)_6 | 第44-45页 |
| ·Ru(bpy)_3Cl_2 | 第45-47页 |
| ·Ru(NH_3)_6Cl_3 | 第47-49页 |
| ·Fc-MeOH | 第49-51页 |
| ·TMAC-MSF/ITO电极的选择渗透性 | 第51-57页 |
| ·K_3Fe(CN)_6 | 第52-54页 |
| ·Ru(bpy)_3Cl_2 | 第54-55页 |
| ·Ru(NH_3)_6Cl_3 | 第55-56页 |
| ·Fc-MeOH | 第56-57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| ·溶液离子强度对MSF/ITO电极渗透性的影响 | 第58-69页 |
| ·K_3Fe(CN)_6 | 第59-62页 |
| ·Ru(bpy)_3Cl_2 | 第62-65页 |
| ·Fc-MeOH | 第65-69页 |
| ·溶液离子强度对TMAC-MSF/ITO电极渗透性的影响 | 第69-79页 |
| ·K_3Fe(CN)_6 | 第69-72页 |
| ·Ru(NH_3)_6Cl_3 | 第72-74页 |
| ·Ru(bpy)_3Cl_2 | 第74-76页 |
| ·Fc-MeOH | 第76-79页 |
| ·本章小结 | 第79-81页 |
| 第三章 MP-11单体在垂直介孔二氧化硅通道阵列中的固定和电子转移研究 | 第81-99页 |
| ·引言 | 第81-83页 |
| ·实验部分 | 第83-85页 |
| ·试剂与材料 | 第83页 |
| ·仪器与设备 | 第83-84页 |
| ·实验步骤 | 第84-85页 |
| ·MSF的合成和表征 | 第84页 |
| ·MP-11的固定 | 第84-85页 |
| ·结果和讨论 | 第85-98页 |
| ·MSF的表征 | 第85-88页 |
| ·pH对MP-11装载的影响 | 第88-90页 |
| ·离子强度对MP-11装载的影响 | 第90-92页 |
| ·MP-11吸附动力学 | 第92-94页 |
| ·Langmuir吸附等温线 | 第94-95页 |
| ·MSF通道中MP-11的电化学行为 | 第95-98页 |
| ·小结 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-114页 |
| 附录 | 第114页 |