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用纳米压印和电子束曝光技术构筑纳米电极

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-11页
第一章 绪论第11-31页
 §1.1 引言第11-12页
 §1.2 图案化结构制备技术第12-21页
  §1.2.1 电子束曝光技术(Electron Beam Lithograph)第13-14页
  §1.2.2 蘸笔印刷 (DPN)第14-16页
  §1.2.3 纳米压印技术(Nanoimprint Lithograph)第16-18页
  §1.2.4 其他技术第18-21页
 §1.3 纳米电极制备的研究现状第21-23页
 §1.4 目前存在的主要问题第23-24页
 §1.5 本论文研究的目的、思路及内容第24-26页
  §1.5.1 论文研究的目的和思路第24页
  §1.5.2 论文研究的主要内容第24-26页
 参考文献第26-31页
第二章 PMMA 单层胶纳米压印制备纳米电极第31-47页
 §2.1 引言第31-32页
 §2.2 实验部分第32-37页
  §2.2.1 电极模板参数第33-34页
  §2.2.2 纳米压印和 RIE 过程第34-36页
  §2.2.3 金属沉积与剥离第36页
  §2.2.4 样品测试与表征第36-37页
 §2.3 结果与讨论第37-43页
  §2.3.1 温度和压力对压印过程的影响第37-40页
  §2.3.2 RIE 刻蚀条件对 PMMA 表面结构的影响第40-41页
  §2.3.3 Ti 和 Au 的沉积厚度对电极剥离的影响第41-43页
  §2.3.4 纳米电极的 AFM 表征和 IV 测试第43页
 §2.4 本章小结第43-44页
 参考文献第44-47页
第三章 PMMA/SF5 双层胶纳米压印制备纳米电极第47-63页
 §3.1 引言第47-49页
 §3.2 实验部分第49-51页
  §3.2.1 纳米压印和 RIE 过程第49-50页
  §3.2.2 TMAH 溶液显影和 NMP 溶液剥离第50页
  §3.2.3 金属沉积与剥离第50-51页
  §3.2.4 样品测试与表征第51页
 §3.3 结果与讨论第51-59页
  §3.3.1 RIE 刻蚀条件对 SF5/PMMA 聚合物表面结构的影响第51-53页
  §3.3.2 TMAH 显影浓度和时间对电极结构的影响第53-57页
  §3.3.3 TMAH 显影原理第57-59页
  §3.3.4 纳米电极的 AFM 表征和 IV 测试第59页
 §3.4 本章小结第59-61页
 参考文献第61-63页
第四章 EBL 技术制备纳米电极第63-75页
 §4.1 引言第63-64页
 §4.2 实验部分第64-66页
  §4.2.1 基底准备与 EBL 曝光第64-66页
  §4.2.2 RIE 去残胶、显影、金属沉积及剥离第66页
 §4.3 结果与讨论第66-70页
 §4.4 本章小结第70-72页
 参考文献第72-75页
攻读学位期间发表的学术论文目录第75-77页
致谢第77-78页

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