| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| ·稀磁半导体简介 | 第8-10页 |
| ·ZnO 掺杂的磁性研究现状 | 第10-13页 |
| ·本文研究的目的和研究意义 | 第13-14页 |
| ·研究目的 | 第13页 |
| ·研究意义 | 第13-14页 |
| 2 理论方法和计算软件 | 第14-20页 |
| ·密度泛函理论 | 第14-17页 |
| ·简介 | 第14-15页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第15页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第15-16页 |
| ·交换关联泛函 | 第16-17页 |
| ·VASP 计算软件 | 第17-18页 |
| ·简介 | 第17页 |
| ·理论基础 | 第17-18页 |
| ·VASP 计算流程 | 第18-19页 |
| ·本章小结 | 第19-20页 |
| 3 ZnO 纳米层本征缺陷电子和磁学性质的第一性原理研究 | 第20-31页 |
| ·引言 | 第20-21页 |
| ·模型的构造及计算方法 | 第21-22页 |
| ·结果和讨论 | 第22-30页 |
| ·ZnO 纳米层的几何结构和电子性质 | 第22-24页 |
| ·具有氧空位的 ZnO 纳米层的电子和磁性性质 | 第24-26页 |
| ·具有锌空位的 ZnO 纳米层的电子和磁学性质 | 第26-29页 |
| ·ZnO 纳米层中锌空位的磁性耦合性质 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 4 Cu、C、N 掺杂 ZnO 纳米层的电子和磁性性质第一性原理研究 | 第31-40页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·模型的构建与计算方法 | 第31-33页 |
| ·结果与讨论 | 第33-38页 |
| ·Cu 掺杂 ZnO 纳米层的电子和磁学性质 | 第33-35页 |
| ·C、N 掺杂 ZnO 纳米层的电子和磁学性质 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 5 结论与展望 | 第40-42页 |
| ·主要结论 | 第40-41页 |
| ·后续研究工作的展望 | 第41-42页 |
| 致谢 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-48页 |
| 附录 | 第48页 |
| A 作者在攻读学位期间发表的论文目录 | 第48页 |