| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-13页 |
| ·自旋电子学简介 | 第8-9页 |
| ·半金属材料与稀磁半导体的研究现状 | 第9-12页 |
| ·半金属简介 | 第9-10页 |
| ·稀磁半导体简介 | 第10页 |
| ·稀磁半导体最新研究进展 | 第10-11页 |
| ·III-V 族氮化物基稀磁半导体的研究 | 第11-12页 |
| ·本文研究的目的、意义及主要研究内容 | 第12-13页 |
| ·研究的目的和意义 | 第12页 |
| ·主要研究内容 | 第12-13页 |
| 2 第一性原理及计算软件简介 | 第13-27页 |
| ·引言 | 第13-14页 |
| ·三个基本近似 | 第14-16页 |
| ·非相对论近似 | 第14页 |
| ·绝热近似（Born-Oppenheimer 近似） | 第14-15页 |
| ·轨道近似（Hartree-Fork 近似） | 第15-16页 |
| ·密度泛函理论（DFT） | 第16-21页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第17-18页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第18-19页 |
| ·局域密度近似（Local Density Approximation） | 第19-20页 |
| ·广义梯度近似(GGA) | 第20-21页 |
| ·平面波赝势方法 | 第21-24页 |
| ·CASTEP 简介 | 第24-26页 |
| ·CASTEP 相关理论 | 第24-25页 |
| ·CASTEP 软件的计算任务及主要功能 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 3 V、Cr、Mn 掺杂纳孔结构 AlN 的第一性原理研究 | 第27-40页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·理论模型与计算方法 | 第27-28页 |
| ·计算结果及分析 | 第28-38页 |
| ·本征纳孔结构 AlN 的晶格结构和电子结构 | 第28-30页 |
| ·本征纳孔结构 AlN 的稳定性 | 第30-32页 |
| ·V、Cr、Mn 掺杂纳孔结构 AlN 对晶格结构的影响 | 第32页 |
| ·V、Cr、Mn 掺杂纳孔结构 AlN 对磁电性能的影响 | 第32-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 4 Cr 掺杂浓度和 Cr 掺杂位置对纳孔结构 AlN 磁电性能影响的第一性原理研究 | 第40-50页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第40-42页 |
| ·Cr 掺杂浓度对纳孔结构 AlN 电磁性质影响的计算结果与分析 | 第42-47页 |
| ·Cr 掺杂浓度对纳孔结构 AlN 晶格结构的影响 | 第42页 |
| ·Cr 掺杂浓度对纳孔结构 AlN 磁电性能的影响 | 第42-47页 |
| ·Cr 掺杂位置对纳孔结构 AlN 磁电性能的影响 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 5 结论与展望 | 第50-52页 |
| ·主要结论 | 第50页 |
| ·后续研究工作展望 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 附录 | 第59页 |
