相变存储单元多值存储的仿真研究

摘要	第1-5页
ABSTRACT	第5-8页
1 绪论	第8-15页
·引言	第8-10页
·相变随机存储器发展现状	第10-12页
·多值存储技术	第12-13页
·本文目的及内容	第13-14页
·本章小结	第14-15页
2 相变存储单元计算理论及模型	第15-24页
·计算理论	第16-21页
·存储单元模型及参数设定	第21-23页
·本章小结	第23-24页
3 单脉冲仿真实验	第24-35页
·脉冲幅值控制的脉冲写信息	第24-29页
·脉冲宽度控制的脉冲写信息	第29-33页
·晶相间过渡区域	第33-34页
·本章小结	第34-35页
4 连续脉冲实验	第35-39页
·幅值、脉宽不变的连续脉冲作用	第35-38页
·本章小结	第38-39页
5 多值状态稳定性分析	第39-44页
·制程变差影响分析	第39-42页
·多值存储状态失效分析	第42-43页
·本章小结	第43-44页
6 优化结构的存储单元多值存储过程	第44-49页
·边缘接触式存储单元	第44-46页
·工字形存储单元	第46-48页
·本章小结	第48-49页
7 总结与展望	第49-50页
8 致谢	第50-51页
参考文献	第51-55页
附录	第55页