InAsQD外延生长与双电极SOA对光传输误码的影响
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| ·半导体光放大器简介 | 第9-11页 |
| ·量子点的特性及研究现状 | 第11-12页 |
| ·量子点分子的特性及研究现状 | 第12-15页 |
| ·多电极 SOA 的特点及应用 | 第15-16页 |
| ·论文主要内容 | 第16-18页 |
| 2 V/III 比对量子点特性的影响 | 第18-30页 |
| ·V/III 比的定义 | 第18-19页 |
| ·不同 V/III 比下量子点的工艺制备 | 第19-20页 |
| ·V/III 比对量子点密度的影响 | 第20-22页 |
| ·V/III 比对量子点尺寸分布的影响 | 第22-27页 |
| ·V/III 比对量子点光致发光谱的影响 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-30页 |
| 3 衬底偏角对 InAs 量子点外延生长的影响 | 第30-40页 |
| ·衬底偏角对单层量子点外延生长的影响 | 第30-33页 |
| ·衬底偏角对双层量子点外延生长的影响 | 第33-37页 |
| ·衬底偏角对量子点发光特性的影响 | 第37-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 4 量子点分子的工艺生长及相关特性研究 | 第40-47页 |
| ·量子点分子的自组织生长 | 第40-43页 |
| ·量子点分子的特性及其应用 | 第43-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 5 双电极 SOA 对光传输误码的影响 | 第47-63页 |
| ·误码率定义 | 第47-49页 |
| ·实验系统介绍 | 第49-50页 |
| ·不同端面输入时系统误码率实验研究 | 第50-56页 |
| ·不同输入功率时系统误码率实验研究 | 第56-60页 |
| ·不同输入码型时系统误码率实验研究 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 6 全文总结 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 附录 1 攻读硕士学位期间发表文章及专利 | 第73页 |
