| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 1 绪论 | 第11-23页 |
| ·片式 PTCR 陶瓷的国内外发展现状与趋势 | 第11-17页 |
| ·多层片式 PTCR 器件的制备方法及流程图 | 第17-19页 |
| ·多层片式 PTCR 陶瓷热敏元件的关键技术难点 | 第19-20页 |
| ·本论文的立题依据及意义 | 第20-21页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第21-23页 |
| 2 基于还原气氛烧结的施主掺杂 BaTiO3的半导化特性研究 | 第23-37页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·实验研究 | 第23-27页 |
| ·Sm_2O_3掺杂 BaTiO_3陶瓷的半导化特性研究 | 第27-33页 |
| ·Nb_2O_5掺杂 BaTiO_3陶瓷的半导化特性研究 | 第33-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 3 化学计量比组成对材料结构及性能的影响研究 | 第37-49页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·实验研究 | 第37-38页 |
| ·材料的微结构分析 | 第38-42页 |
| ·Ba / Ti 比对材料性能的影响 | 第42-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 4 烧结制式对材料性能的作用规律研究 | 第49-79页 |
| ·引言 | 第49-50页 |
| ·实验研究 | 第50-51页 |
| ·烧结温度对 PTCR 效应的影响 | 第51-64页 |
| ·降温速率对 PTCR 效应的影响 | 第64-76页 |
| ·本章小结 | 第76-79页 |
| 5 再氧化对材料性能的作用规律 | 第79-96页 |
| ·引言 | 第79-80页 |
| ·实验研究 | 第80-81页 |
| ·Sm_2O_3掺杂片式 BaTiO_3陶瓷的再氧化研究 | 第81-84页 |
| ·Nb_2O_5掺杂多层片式 BaTiO_3陶瓷的再氧化研究 | 第84-94页 |
| ·本章小结 | 第94-96页 |
| 6 晶界势垒层和缺陷对 PTCR 特性影响的理论分析 | 第96-102页 |
| ·BaTiO_3的晶体结构 | 第96-97页 |
| ·施主掺杂 BaTiO_3陶瓷的缺陷化学研究 | 第97-98页 |
| ·晶界势垒层的重构 | 第98-101页 |
| ·本章总结 | 第101-102页 |
| 7 结论与展望 | 第102-105页 |
| ·结论 | 第102-103页 |
| ·展望 | 第103-105页 |
| 致谢 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-115页 |
| 附录 1 攻读学位期间发表论文目录 | 第115页 |
