| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-31页 |
| ·半导体分子电子学 | 第10-11页 |
| ·分子电子学基础研究 | 第11-15页 |
| ·自旋电子学 | 第15-25页 |
| ·石墨烯以及石墨烯纳米带简介 | 第25-29页 |
| ·本文的工作 | 第29-31页 |
| 2 理论基础和计算方法 | 第31-39页 |
| ·非平衡格林函数方法结合密度泛函理论 | 第31-37页 |
| ·常用的量子计算方法 | 第37-39页 |
| 3 硼掺杂控制的石墨烯纳米带 p-n 结的奇异输运性质 | 第39-53页 |
| ·石墨烯及其纳米带的相关研究 | 第39-40页 |
| ·器件结构和计算方法 | 第40-42页 |
| ·计算结果和讨论 | 第42-52页 |
| ·本章总结 | 第52-53页 |
| 4 闪锌矿相碲化锌/碲化铬异质结的各向异性输运性质 | 第53-66页 |
| ·自旋电子学器件的研究背景 | 第53-54页 |
| ·异质结的构建和计算方法 | 第54-55页 |
| ·计算结果及其分析 | 第55-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 5 两种新型二维材料器件的输运性质研究 | 第66-88页 |
| ·氮化石墨烯 C4N3 的研究背景 | 第66-69页 |
| ·氮化石墨烯 C4N3 构建的器件 | 第69-76页 |
| ·二维材料单层二硫化钼 MoS2 的研究背景 | 第76-82页 |
| ·二硫化钼 MoS2 纳米带构建的器件 | 第82-88页 |
| 6 全文总结和展望 | 第88-90页 |
| ·全文的总结 | 第88-89页 |
| ·下一步的工作和展望 | 第89-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-103页 |
| 附录 1 攻读博士学位期间已发表或正在完成的学术论文 | 第103页 |
