GaN高效率功率放大器设计技术研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·课题背景 | 第9-10页 |
| ·国内外发展动态 | 第10-13页 |
| ·本文主要内容 | 第13-15页 |
| 第二章 宽禁带GaN HEMT器件 | 第15-18页 |
| ·宽禁带GaN HEMT器件概述 | 第15-16页 |
| ·宽禁带GaN HEMT器件模型 | 第16-17页 |
| ·本章小结 | 第17-18页 |
| 第三章 高效率功率放大器基础 | 第18-34页 |
| ·功率放大器分类 | 第18-22页 |
| ·经典功率放大器 | 第18-20页 |
| ·开关模式功率放大器 | 第20-22页 |
| ·高效率功率放大器的特性 | 第22-24页 |
| ·效率 | 第22-23页 |
| ·非线性 | 第23-24页 |
| ·高效率F类与逆F类功率放大器 | 第24-33页 |
| ·B类过激励 | 第25-28页 |
| ·集总参数元件设计的F类功放 | 第28-31页 |
| ·微带传输线F类功率放大器 | 第31页 |
| ·逆F类功率放大器 | 第31-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 微带线F类功率放大器设计 | 第34-50页 |
| ·微带线F类功放设计及整体仿真 | 第34-41页 |
| ·直流特性分析 | 第34-36页 |
| ·负载牵引与源牵引仿真 | 第36-37页 |
| ·谐波匹配网络设计 | 第37-39页 |
| ·仿真结果 | 第39-41页 |
| ·微带线F类功放印制板与腔体设计 | 第41-42页 |
| ·微带线F类功放测试与分析 | 第42-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 基于DGS结构的逆F类功率放大器设计 | 第50-68页 |
| ·DGS结构特性 | 第50页 |
| ·DGS结构在功率放大器中的应用 | 第50-55页 |
| ·DGS结构及电路模型分析 | 第51-53页 |
| ·DGS结构抑制功率放大器谐波设计 | 第53-55页 |
| ·基于DGS结构逆F类功放电路设计及仿真 | 第55-57页 |
| ·基于DGS结构逆F类功放印制板与腔体设计 | 第57-59页 |
| ·基于DGS结构逆F类功放测试与分析 | 第59-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第六章 结论 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第73-75页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第75页 |
