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碳化硅单晶生长工艺的研究

摘要第1-4页
Abstract第4-7页
第一章 绪论第7-21页
   ·引言第7-8页
   ·碳化硅介绍第8-12页
     ·碳化硅的晶体结构第8-10页
     ·碳化硅的性质及应用第10-12页
   ·碳化硅晶体生长设备第12-14页
   ·真空室内部装置介绍第14-15页
   ·碳化硅晶体生长方法第15-18页
     ·晶体生长背景第15-16页
     ·物理气相传输法第16-18页
   ·晶体生长一般性工艺第18-20页
   ·本论文工作选题和项目来源第20-21页
第二章 晶体凸度问题第21-25页
   ·引言第21-22页
   ·高温线—料底间距介绍第22-23页
   ·碳化硅晶体凸度的解决第23-25页
第三章 高温线的控制第25-29页
   ·引言第25页
   ·籽晶杆提拉定位器第25-29页
第四章 原料的处理及装料第29-31页
   ·原料处理的规范化第29-30页
   ·装料的标准化第30-31页
第五章 金刚石提纯第31-34页
   ·引言第31页
   ·实验第31-32页
   ·结果与讨论第32-34页
工作总结及展望第34-36页
致谢第36-37页
参考文献第37-39页

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