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卤化银微晶中的浅电子陷阱掺杂特性

第1章 引言第1-11页
第2章 电子陷阱与浅电子陷阱掺杂剂第11-22页
   ·Gurney and Mott理论与陷阱第11-17页
     ·Gurney and Mott理论第11-14页
     ·陷阱及其作用第14-17页
   ·浅电子陷阱掺杂剂第17-22页
     ·浅电子陷阱掺杂剂的原理及作用第18-19页
     ·筛选浅电子陷阱掺杂剂的原则第19-20页
     ·浅电子陷阱掺杂剂的类型第20-21页
     ·浅电子陷阱掺杂剂在颗粒的掺杂部位第21-22页
第3章 掺有不同浓度[M(CN)_6]~n的卤化银微晶中自由光电子衰减的计算模型第22-32页
   ·基本模型第23-27页
     ·模型第23-25页
     ·动力学方程第25-27页
   ·计算方法第27-32页
第4章 模型的验证与模拟参数的调整规律第32-38页
   ·模型的验证第32-34页
   ·模拟参数的调整第34-38页
     ·纯卤化银乳剂中固有中心俘获参数第34-35页
     ·掺杂卤化银乳剂中SET俘获参数第35-38页
第5章 AgCl立方体微晶中K_4Fe(CN)_6掺杂的结果第38-49页
   ·实验结果第38-40页
     ·实验装置第38-39页
     ·实验样品第39页
     ·实验结果第39-40页
   ·模拟结果第40-49页
     ·固有中心的模拟参数第40-42页
     ·SET的模拟参数第42-46页
     ·最佳掺杂浓度的确定第46-49页
结束语第49-52页
参考文献第52-54页
致谢第54页

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